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1. 當(dāng)K閉合，IO如果輸出高電平，通過(guò)D1，R1，Q1的BE到地，Q1為NPN三極管(CE)導(dǎo)通，觸發(fā)P型負(fù)電壓MOS管導(dǎo)通，12V通過(guò)MOS給電機(jī)供電，電機(jī)運(yùn)行。D2是反電動(dòng)勢(shì)二極管，電機(jī)放電時(shí)不會(huì)損壞其它元件。此時(shí)，R4上端是12V，Q2是PNP三極管，為截止?fàn)顟B(tài)。R3是限流，防止Q1電流過(guò)大而損壞。
2. 當(dāng)K閉合，IO如果輸出低電平，由于二極管的作用0V電壓不同通過(guò)二極管到達(dá)Q1的基極，三極管Q1不會(huì)導(dǎo)通，又因?yàn)镽2的作用，Q1的基極有負(fù)壓，Q1更好的保持截止了，如果沒(méi)有R2，三極管可能會(huì)被外界干擾，導(dǎo)致時(shí)不時(shí)導(dǎo)通，放大的狀態(tài)，造成電機(jī)誤動(dòng)作。R6的作用也如此，不過(guò)它的對(duì)象是MOS而已。Q1不導(dǎo)通, P型MOS自然也是截止，此時(shí)電機(jī)停止。 對(duì)于Q2來(lái)說(shuō)，電機(jī)就是一個(gè)導(dǎo)體，因此GND通過(guò)R4到達(dá)Q2基極，Q2導(dǎo)通，此時(shí)P型MOS被更有效的截止，由于R6的存在，顯得這三極管也是那么點(diǎn)多余。 |
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