STC單片機掉電中斷的寫法

ID:624769 · 發(fā)表于 2021-10-8 21:55

發(fā)現(xiàn)有不少人還不會用STC的掉電中斷，這里就拋磚引玉一下。很多STC的單片機，都內(nèi)帶ELVD 掉電中斷，只要利用好這個中斷，不需要增加額外的硬件，就能在掉電的瞬間把需要保存的設置存儲到單片機自帶的偽Eeprom 中，中斷部分代碼如下，根據(jù)每個人實際情況修改。

void PowerLost() interrupt 6
{
unsigned char i;
EA = 0; //關(guān)閉所有中斷
// P0Mode = HHHH_HHHH; //切換到高阻模式，關(guān)閉所有IO的輸出，降低功耗
P1Mode = HHHH_HHHH; //切換到高阻模式，關(guān)閉所有IO的輸出，降低功耗
// P2Mode = HHHH_HHHH; //切換到高阻模式，關(guān)閉所有IO的輸出，降低功耗
P3Mode = HHHH_HHHH; //切換到高阻模式，關(guān)閉所有IO的輸出，降低功耗
// P4Mode = HHHH_HHHH; //切換到高阻模式，關(guān)閉所有IO的輸出，降低功耗
P5Mode = HHHH_HHHH; //切換到高阻模式，關(guān)閉所有IO的輸出，降低功耗
// P6Mode = HHHH_HHHH; //切換到高阻模式，關(guān)閉所有IO的輸出，降低功耗
// P7Mode = HHHH_HHHH; //切換到高阻模式，關(guān)閉所有IO的輸出，降低功耗
IAP_CMD = 0x02; //Eeprom 操作模式切換到寫
IAP_ADDRH = (Saving_ADDR & 0x0f); //定義重要參數(shù)儲存地址 Saving_ADDR 的低4位保存Eeprom 的高位地址
IAP_ADDRL = (Saving_ADDR & 0xf0); //定義重要參數(shù)儲存地址 Saving_ADDR 的高4位保存Eeprom 的低位地址
for(i=0; i<16; i++) //保存系統(tǒng)重要參數(shù)到Eeprom
{
IAP_DATA = System_Setting[i];
IAP_TRIG = 0x5A;
IAP_TRIG = 0xA5;
IAP_ADDRL++;
}
while((PCON & 0x20) != 0) //復查掉電標志
{
PCON &= 0xDF; //清除掉電標志
_nop_();
_nop_(); //坐等掉電
}
IAP_CONTR = 0x20; //發(fā)現(xiàn)是誤報，重啟單片機，恢復正常工作
}

復制代碼

關(guān)于這個中斷，由于Eeprom 地址是在開機的時候，就準備好的，所以，中斷中不用再次準備，這也是為什么發(fā)現(xiàn)是誤報的時候，選擇重啟恢復工作的原因之一，不然還要再計算一次地址，設置一次端口模式。基本上，掉電中斷只需要做這些事，值得一提的是，掉電標志位，開機后默認是1，所以在開掉電中斷ELVD = 1; 之前，要先清掉電標志位，PCON &= 0xDF; 同時，如果要像我一樣，掉電中斷中用極簡寫法，那么，一定要Eeprom地址全都計算完畢之后，才開掉電中斷。

以上，希望可以幫到大家。

ID:881715 · 發(fā)表于 2021-10-8 23:40

有用多謝您賜教,多謝多謝

ID:965189 · 發(fā)表于 2022-6-5 22:37

我之前試過不成功可能是沒有及時關(guān)閉所有輸出。找時間試試這個。

ID:398219 · 發(fā)表于 2022-6-16 14:47

STC90C514AD有這個功能嗎

ID:1108581 · 發(fā)表于 2024-1-10 21:15

代碼寫的非常好，清晰明了

ID:1115340 · 發(fā)表于 2024-4-3 23:14

想問一下大佬，為啥我按照你的代碼寫了，但還是觸發(fā)不到低壓中斷呢？我已經(jīng)初始化EA=1;
ELVD=1;了

ID:1115340 · 發(fā)表于 2024-4-3 23:14

低壓檢測電壓有要求嗎，還是要加一個大電容來增加斷電時間

ID:378108 · 發(fā)表于 2024-4-5 10:36

STC 掉電中斷,最關(guān)鍵的一點是,要事先擦除flash,中斷里只寫入很短的數(shù)據(jù),寫完以后可以點一個功率比較大的設備,把電快速消耗光,調(diào)試的時候可以不寫入,只點燈,看燈亮的時間

ID:1117545 · 發(fā)表于 2024-4-20 23:38

zhxzhx 發(fā)表于 2024-4-5 10:36
STC 掉電中斷,最關(guān)鍵的一點是,要事先擦除flash,中斷里只寫入很短的數(shù)據(jù),寫完以后可以點一個功率比較大的設 ...

你說的對，我一般是上電讀完數(shù)據(jù)就立即擦除EEPROM數(shù)據(jù)，等斷電中斷的時候只需要寫入數(shù)據(jù)就行了，不會在擦除EEPROM扇區(qū)上浪費時間

ID:1117545 · 發(fā)表于 2024-4-20 23:40

寧遠133 發(fā)表于 2024-4-3 23:14
低壓檢測電壓有要求嗎，還是要加一個大電容來增加斷電時間

事先擦除EEPROM扇區(qū)，低壓中斷里只包含清標志位和寫入數(shù)據(jù)的語句

ID:584288 · 發(fā)表于 2024-5-31 21:37

多謝！學習了！

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STC單片機掉電中斷的寫法

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