關(guān)于MOS管的漏電流

ID:668004 · 發(fā)表于 2021-10-12 17:01

在微型可穿戴設(shè)備中，對于電池的功耗要求很高，所以為了省電，其實(shí)電路也是很多的，最省電的無疑就是直接斷開電池的供電了

這種方案要用到一個(gè)NMOS和一個(gè)PMOS組合使用，NMOS作為下管控制PMOS的輸出。

NMOS和PMOS本身也是需要消耗電流的，重點(diǎn)關(guān)注NMOS和PMOS的兩個(gè)漏電流參數(shù)IGSS和IDSS，一般小于多少才算是極低的漏電流？

我看都是在1uA以上最大有沒有更小的

ID:460753 · 發(fā)表于 2021-10-13 07:46

這個(gè)是反映mos

ID:460753 · 發(fā)表于 2021-10-13 07:48

這個(gè)是反映mos導(dǎo)通時(shí)的需要的電流電壓吧，關(guān)機(jī)功耗與電路設(shè)計(jì)有關(guān)。

ID:668004 · 發(fā)表于 2021-10-13 17:39

ucmic 發(fā)表于 2021-10-13 07:48
這個(gè)是反映mos導(dǎo)通時(shí)的需要的電流電壓吧，關(guān)機(jī)功耗與電路設(shè)計(jì)有關(guān)。

看來你連規(guī)格書都沒看懂小朋友

ID:466505 · 發(fā)表于 2021-10-14 12:16

那個(gè)是Vds=20V時(shí)候的電流,你電壓Vds在3-5V時(shí)的漏電池就小了

ID:668004 · 發(fā)表于 2021-10-15 19:09

hcfat51h 發(fā)表于 2021-10-14 12:16
那個(gè)是Vds=20V時(shí)候的電流,你電壓Vds在3-5V時(shí)的漏電池就小了

取決于VGS&VDS？還有Ron？

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