求一個檢測到參數(shù)改變就往EEPROM中寫入的MCU程序框架

ID:997026 · 發(fā)表于 2022-2-28 16:58

現(xiàn)在要做一個小的監(jiān)控器，需要設置監(jiān)控時間，為了每次開機時不需要一直設置時間，需要在每次關機前保存當前參數(shù)，下次開機前就不需要重新設置了。

現(xiàn)在是想把時間參數(shù)保存到EEPROM中，當設置好時間時，同時就自動寫入EEPROM中，下次開機后再讀取。如果時間沒有被改動，就不需要重復寫入，只是檢測到時間改動后再寫入。

比如如果當前時間設置是20分鐘，如果這一天中，時間設置的都是20分鐘, 沒有設置新的時間，就保存20分鐘到EEPROM, 如果上午設置的是20分鐘，下午設置了新的時間30分鐘，當檢測到時間改變時，就把30寫進EEPROM, 覆蓋之前的20. 簡單說就是把最后一次設置的時間寫入EEPROM.

不需要掉電檢測，初步就是這個想法，只需檢測時間參數(shù)改動就往EEPROM中寫入新的參數(shù)保存，不改動就不寫。

求一個大概的程序框架，只需要檢測到時間參數(shù)改動就往EEPROM中寫，以及下次開機讀取的大致程序。不需要EERPOM本身的讀寫程序。

感謝各位！

ID:213173 · 發(fā)表于 2022-2-28 20:31

if(a!=b)
{
b=a;
//保存b到EEPROM中
}

ID:624769 · 發(fā)表于 2022-2-28 20:47

Eeprom 大體有三種,
一種是片外Eeprom:  比如 AT24C02, 一般需要通過 IIC 傳輸協(xié)議進行讀寫。寫一個字節(jié)大約需要 40us 左右的時間。
一種是片內Eeprom:  51系列來講，比較有代表性的就是 WCH 的  CH55x系列，讀寫都比較方便，就是寫幾個寄存器，寫一個字節(jié)，大約需要5us 左右。
還有一種就是片內Flash 模擬 Eeprom，比較有代表性的就是STC的全系列。基本和片內Eeprom 用起來差不多，最大的區(qū)別就是不能改寫，只能整個扇區(qū)擦出后，重寫，如果你要使用這種Eeprom 的話，就要考慮一個擦除問題，因為擦除一個扇區(qū)的時間大約需要 21ms，而單片機在理想狀態(tài)下，從感知掉電到徹底沒電，或者說剩余電量可以用來操作Eeprom 的存留時間不超過10ms，所以，你要在掉電是存儲Eeprom必須在感知掉電前就完成了扇區(qū)擦除工作。這個在程序里必須提前做好。其他的就是普通操作了。

ID:997026 · 發(fā)表于 2022-2-28 23:15

wulin 發(fā)表于 2022-2-28 20:31
if(a!=b)
{
b=a;

哈哈，這么簡單嘛

ID:997026 · 發(fā)表于 2022-2-28 23:16

188610329 發(fā)表于 2022-2-28 20:47
Eeprom 大體有三種,
一種是片外Eeprom: 比如 AT24C02, 一般需要通過 IIC 傳輸協(xié)議進行讀寫。寫一個字 ...

謝謝，我用的是AVR單片機，不知道擦除EEPROM是不是先要擦除扇區(qū)，以前從來沒用過EEPROM

ID:997026 · 發(fā)表于 2022-3-7 22:32

wulin 發(fā)表于 2022-2-28 20:31
if(a!=b)
{
b=a;

有個問題請教下，我現(xiàn)在需要保存的數(shù)據(jù)有100多個，如果有改動就保存的話，要設置100多個變量，程序太長了，寫下來累死了。有沒有比較簡單方便的寫法，比如循環(huán)之類的，可以方便的實現(xiàn)你這個功能的？謝謝

ID:944091 · 發(fā)表于 2022-3-7 22:50

hxdby 發(fā)表于 2022-3-7 22:32
有個問題請教下，我現(xiàn)在需要保存的數(shù)據(jù)有100多個，如果有改動就保存的話，要設置100多個變量，程序太長 ...

用指針可以實現(xiàn)

ID:997026 · 發(fā)表于 2022-3-7 23:34

chenchuanke 發(fā)表于 2022-3-7 22:50
用指針可以實現(xiàn)

明白，謝謝，我研究下

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求一個檢測到參數(shù)改變就往EEPROM中寫入的MCU程序框架