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A0D3400 mos管燒壞,是電流過大?

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ID:228701 發表于 2022-7-26 10:02 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
MOS管用的是A0D3400 ,電路以及規格參數如下,負載最高電流2.6A,使用一個星期后出現2臺mos燒壞,懷疑是電流過大(優信上買的是圖標這款),但規格書能過4a,現在準備換成252封裝的mos,但想找出原因,有沒有人遇到過這問題

電路圖

電路圖

規格書

規格書
51hei3.png


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ID:401564 發表于 2022-7-26 16:12 | 顯示全部樓層
就是燒壞的,熱壞的
因為你用的是PWM,MOS管的G極是有結電容的,對于PWM信號來說,就相當于一個電阻,這個電阻會把G極電壓拉低,讓MOS管不能完全導通,MOS管的電阻就加大了,發熱量也就大了
你可以在加熱的時候用紅外槍測量一下MOS的溫度
看一下你PWM信號的能力,把R19改到最小,或者把驅動電壓改到10V
AO3400我經常用,持續5A電流隨便工作,不會是電流的問題,是你驅動的問題
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ID:228701 發表于 2022-7-26 17:17 | 顯示全部樓層
Y_G_G 發表于 2022-7-26 16:12
就是燒壞的,熱壞的
因為你用的是PWM,MOS管的G極是有結電容的,對于PWM信號來說,就相當于一個電阻,這個電阻 ...

嗯,應該是熱壞的,附近電源DC部分加了個ss34做防反接處理,發熱嚴重涂得熱熔膠都融了,去掉后mos沒這么燙
另外,PWM程序上僅做開關處理,90%和0輸出,I0輸出電壓3.3/0,電阻R19改板的話直接去掉得了
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ID:228701 發表于 2022-7-26 10:04 | 顯示全部樓層
51hei4.png
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ID:887186 發表于 2022-7-26 11:24 | 顯示全部樓層
或許沒加續流二極管保護?斷電的時候燒掉了?
下拉按照貼吧大佬各位說的換成100K試試?其他確實看不出問題
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ID:584814 發表于 2022-7-26 12:04 | 顯示全部樓層
某一個寶上很多器件都標“國產小芯片”、“國產大芯片”、“進口原裝”而且價格不一樣,不排除有忽悠的成份,但萬一是有些道理呢 ?
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ID:228701 發表于 2022-7-26 13:42 | 顯示全部樓層
一夜暴富 發表于 2022-7-26 11:24
或許沒加續流二極管保護?斷電的時候燒掉了?
下拉按照貼吧大佬各位說的換成100K試試?其他確實看不出問題

正常工作時燒掉,負載是電阻絲發熱線,應該不是反向電動勢導致燒壞
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ID:887186 發表于 2022-7-26 13:51 | 顯示全部樓層
Tobby 發表于 2022-7-26 13:42
正常工作時燒掉,負載是電阻絲發熱線,應該不是反向電動勢導致燒壞

靠PWM驅動內阻太大了?我也不是很了解
艾特大佬來看看吧
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ID:236035 發表于 2022-7-26 15:08 | 顯示全部樓層
0.png
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ID:143767 發表于 2022-7-26 15:41 | 顯示全部樓層
選MOS管的電流參數通常要比實際工作電流大10倍使用才安全可靠
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ID:140489 發表于 2022-7-26 15:54 | 顯示全部樓層
Tobby 發表于 2022-7-26 13:42
正常工作時燒掉,負載是電阻絲發熱線,應該不是反向電動勢導致燒壞

電阻絲冷阻值比熱阻值小很多,可能是這個問題
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ID:793314 發表于 2022-7-26 16:50 | 顯示全部樓層

就是燒壞的,熱壞的低,
1)MOS管工作在不能完全導通,MOS管的導通內阻變大,發熱量也就大。
2)PWM驅動MOS管的能力不足,R19去掉;
3)輸出的負載接de是什么。
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ID:213173 發表于 2022-7-26 17:19 | 顯示全部樓層
電路圖沒有什么問題,如果單片機電源電壓是5V,可以用252封裝的AOD442或SUD50N06,IO口設置推挽模式,R19改10歐或不用。主要問題是PWM驅動能力不足,MOS管功耗大造成燒管。
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ID:228701 發表于 2022-7-26 17:22 | 顯示全部樓層

他數據手冊上寫也是5.8a,尷尬,不應該看他這手冊的 111.png
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ID:228701 發表于 2022-7-26 17:26 | 顯示全部樓層
shengzhen2007 發表于 2022-7-26 16:50
就是燒壞的,熱壞的低,
1)MOS管工作在不能完全導通,MOS管的導通內阻變大,發熱量也就大。
2)PWM驅動MOS ...

嗯嗯,改板把限流電阻去掉,負載接的是硅膠發熱線,也就是電阻絲
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ID:228701 發表于 2022-7-26 17:28 | 顯示全部樓層
man1234567 發表于 2022-7-26 12:04
某一個寶上很多器件都標“國產小芯片”、“國產大芯片”、“進口原裝”而且價格不一樣,不排除有忽悠的成份 ...

現在信了,還是直接找供應商保障
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ID:228701 發表于 2022-7-26 17:37 | 顯示全部樓層
wulin 發表于 2022-7-26 17:19
電路圖沒有什么問題,如果單片機電源電壓是5V,可以用252封裝的AOD442或SUD50N06,IO口設置推挽模式,R19改 ...

嗯嗯,IO輸出3.3vde
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ID:401564 發表于 2022-7-26 17:40 | 顯示全部樓層
Tobby 發表于 2022-7-26 17:22
他數據手冊上寫也是5.8a,尷尬,不應該看他這手冊的

這個數據手冊是沒有問題的呀,人家就一開店的,你以為個個都是科班出身的呀,我幾年前就一直在這家店買元件,因為都在深圳,有時候幾個小時就到了
幾年前這家店的STC單片機都是"全新原裝進口"的,可能是進口這個宣傳口號好用吧,19年開始芯片缺貨之后就沒有這個"全新原裝進口"了,可能是營銷,也可能是經營中有那么幾個科班的吧
這個型號的MOS管3.5A持續電流是不會有問題的,我一直買的就是這個店的這個型號
2.5A只是一個相對安全的工作電流而已
你是PWM控制就是另外一回事了
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ID:401564 發表于 2022-7-26 17:44 | 顯示全部樓層
Tobby 發表于 2022-7-26 17:17
嗯,應該是熱壞的,附近電源DC部分加了個ss34做防反接處理,發熱嚴重涂得熱熔膠都融了,去掉后mos沒這么 ...

要么是提高驅動電壓,不過,一般的PWM信號都是單片機的
要么是把串聯的驅動電阻減小,個人感覺是把電阻減小,位置可以留著
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ID:228701 發表于 2022-7-26 20:52 | 顯示全部樓層
Y_G_G 發表于 2022-7-26 17:44
要么是提高驅動電壓,不過,一般的PWM信號都是單片機的
要么是把串聯的驅動電阻減小,個人感覺是把電阻減小 ...

把電阻改為15R,mos管還是有點燙,買了 UMW 的 3400,回來全部更換,不排除樓上說的國產的電流不夠問題
,有沒有其他sot23的mos推薦
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ID:401564 發表于 2022-7-26 21:23 | 顯示全部樓層
Tobby 發表于 2022-7-26 20:52
把電阻改為15R,mos管還是有點燙,買了 UMW 的 3400,回來全部更換,不排除樓上說的國產的電流不夠問題
...

SOT23封裝MOS管電流大多都是在5A左右的,你就是換了也是好不好多少的
AO3400算是內阻比較小的了
不行的話,就得用高電壓驅動了
你不是有12V電源嘛,搞個10V驅動試一下就知道了
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ID:228701 發表于 2022-7-27 01:18 | 顯示全部樓層
找到問題所在,驅動電壓3.3v,Id輸出2A,負載2.6A,所以mos還是會發燙


下載 (1).png 下載.png


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ID:228701 發表于 2022-7-27 01:25 | 顯示全部樓層
將驅動電壓轉換成5v驅動,減去三級管壓降也就是4.3v,這樣就可以讓mos輸出4A電流了
截圖_20220727012222.png
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ID:213173 發表于 2022-7-27 07:10 | 顯示全部樓層
Tobby 發表于 2022-7-27 01:25
將驅動電壓轉換成5v驅動,減去三級管壓降也就是4.3v,這樣就可以讓mos輸出4A電流了

樓主對21樓建議的理解有失偏頗。高頻PWM驅動MOS管,MOS管功耗主要發生在ton和toff兩個時段,提高MOS管開關速度是降低功耗的主要手段。3.3V改為4.3V驅動也不會有明顯改觀。飽和導通電阻相差幾毫歐不會起什么明顯降耗作用。 無標題.jpg

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ID:401564 發表于 2022-7-27 08:05 | 顯示全部樓層
Tobby 發表于 2022-7-27 01:25
將驅動電壓轉換成5v驅動,減去三級管壓降也就是4.3v,這樣就可以讓mos輸出4A電流了

24#已經給你解釋了,我就不復制了
并不是說3.3V不能完全導通就不能用大電流,
你試著給一個3.3V的高平一直供電,你看一下MOS管溫度高不高
再對比一下用3.3V,90%占空比供電,你再看一下MOS此時的溫度,十有八九是比高電平供電的溫度高的
這個店的這個型號MOS,我買了幾百個,一直在用,但都是開和關而已,5A以下電流從不考慮溫度的,以前是8051驅動,現在是STM32驅動,一直都沒有問題的
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ID:228701 發表于 2022-7-27 11:23 | 顯示全部樓層
wulin 發表于 2022-7-27 07:10
樓主對21樓建議的理解有失偏頗。高頻PWM驅動MOS管,MOS管功耗主要發生在ton和toff兩個時段,提高MOS管開 ...

嗯,學到了,謝謝
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ID:228701 發表于 2022-7-27 11:24 | 顯示全部樓層
Y_G_G 發表于 2022-7-27 08:05
24#已經給你解釋了,我就不復制了
并不是說3.3V不能完全導通就不能用大電流,
你試著給一個3.3V的高平一 ...

好的,現在直接做開關處理了
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ID:647261 發表于 2022-7-27 17:00 | 顯示全部樓層
量一下MOS管G極在PWM模式下的波形,看看還是不是標準方波
如果波形明顯失真,就是驅動能力不足,引起MOS發燙
除了R19改成10歐外,還可以加圖騰柱電路增加驅動能力
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ID:45879 發表于 2022-7-27 18:48 | 顯示全部樓層
1。發熱來自兩點導通發熱和開關發熱,導通發熱的話,按照你的規格書計算與環境溫差會有19℃左右;開關發熱你得自己找公式算算。
2.這個芯片參差不齊,得看實際用的哪款芯片,或者給個10V電壓,根據發熱大概推一下內阻。

Y_G_G說的方法不錯,改變占空比,測芯片溫度。

常開常關的話,這個芯片溫度不會很高的。
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ID:123289 發表于 2022-7-28 09:35 | 顯示全部樓層
如果猜的不錯的話。負載是感性的。
建議在1+、1-之間加一個續流二極管。
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ID:1040698 發表于 2022-7-28 16:10 | 顯示全部樓層
換成雙MOS管
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ID:228701 發表于 2022-8-2 13:38 | 顯示全部樓層
更換A0D3400A目前一切正常,下面是備用方案,比較保障點,感謝樓上各位的幫忙
1.png
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ID:228701 發表于 2022-8-5 17:24 | 顯示全部樓層
Tobby 發表于 2022-8-2 13:38
更換A0D3400A目前一切正常,下面是備用方案,比較保障點,感謝樓上各位的幫忙

備用方案測試,取消R22后mos基本上不發熱,算是解決了發熱問題
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ID:420836 發表于 2022-8-7 09:04 | 顯示全部樓層
MOSFET的額定電流不夠大。 電阻加熱器從低溫啟動時具有浪涌作用。 因此,MOSFET 的額定電流應該比預期的大得多。
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ID:228701 發表于 2022-8-7 12:22 | 顯示全部樓層
本帖最后由 Tobby 于 2022-8-7 20:03 編輯

雙IO控制,防止HEAT_PWM 失效(之前項目出現過IO失效),不知道還有沒有更好的方案,可以推薦下

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ID:228701 發表于 2022-8-7 12:23 | 顯示全部樓層
TTQ001 發表于 2022-8-7 09:04
MOSFET的額定電流不夠大。 電阻加熱器從低溫啟動時具有浪涌作用。 因此,MOSFET 的額定電流應該比預期的大 ...

嗯嗯,是的,只是成本上會高點
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ID:1034262 發表于 2022-8-7 15:38 | 顯示全部樓層
一般是過流或過壓燒壞。示波器看看GS電壓是否變化緩慢,如是,則MOSFET飽和、截止不夠迅速,損耗大,發熱嚴重,熱壞了。如果負載有感性,則會有反電動勢,所以負載要并聯一個快速二極管抑制反電動勢。
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ID:1034948 發表于 2022-8-16 10:35 | 顯示全部樓層
這個問題我剛好遇到過,用PWM控制的話,那個頻率很重要。一般的MOS管只能低頻驅動,用高頻驅動就會燒MOS管。
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ID:1034262 發表于 2022-8-16 12:00 | 顯示全部樓層
xiaohaibo81 發表于 2022-8-16 10:35
這個問題我剛好遇到過,用PWM控制的話,那個頻率很重要。一般的MOS管只能低頻驅動,用高頻驅動就會燒MOS管 ...

那得看你的驅動能力。比如用于驅動小四軸的空心杯電機,用超過20KHz的PWM沒有任何問題。
但是IO直接驅動TO252或更大的MOSFET,由于電流不夠,PWM頻率高時,GS電壓變化緩慢,MOSFET損耗很大,會燒的。
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ID:1039555 發表于 2022-8-16 12:53 | 顯示全部樓層
簡單的來說就是開和關的那一瞬間
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