PMOS管導通問題

ID:709761 · 發表于 2022-8-31 15:42

如圖，PMOS導通時，后面大電容充電，電流大，對PMOS和對輸入電源，不好。
如果在MOS的GS之間并聯電容，讓MOS緩慢導通，是在Q777還是Q10的并聯電容？并多大的電容？這樣的話，會不會增加MOS的開通和關斷損耗。

ID:382454 · 發表于 2022-8-31 16:08

2000uf不蒜太大，你前面并了電容，導通時一樣發熱的。還不如不加，因為導通時MOS的內阻才幾毫歐。

ID:752974 · 發表于 2022-8-31 16:21

mos管在沒有完全導通的情況下，導通電阻值很大，在大電流下要發熱的。應該在24V主回路想辦法，如串適當限流電阻，在適當時機用繼電器短掉，如果主MOS管不怕熱，就隨意了。

ID:123289 · 發表于 2022-8-31 17:35

用程序在IO2上做文章。

ID:1034948 · 發表于 2022-9-1 08:16

你這個C5大電容放在前面就不會有這個問題了，濾波效果一樣的呀。

ID:57414 · 發表于 2022-9-1 08:25

可以這么做，我們以前做主板都是用這種電路。
我記得這個電容當時加的好像有10nF那么大。

ID:1039555 · 發表于 2022-9-1 10:20

Q10的GS電容不止會增大開關損耗，對開關的速度也影響很大，100k的下拉電容大了關不死都有可能。

ID:1039555 · 發表于 2022-9-1 10:43

Q10的GS電容不但會增大開關損耗，對開關速度也影響很大，100k下拉電容大了關不死都有可能，串0Ω電阻不合適，可能會導致自激，R22與R19分壓得4.5v即可2.5v也行，R13的存在，DS之間并沒有多大電流，Q10不用去考慮導通內阻。Q777的GS電容，由于R13的存在此電容并沒有什么用，要去掉，會有副作用。當Q777導通那一瞬間，R11與R12分壓得S＞G12v，它已經是完全導通，內阻很小。給C5充電的涌電流 mos是可以承受的，它不能承受的是電壓，電壓高了就是瞬間擊穿。實在不放心你可以在D極和C5之間串個電阻，計算負載功率之后決定這個電阻大小，總的一句話，場效應管的GS之間打死不要去并電容。

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