單片機io設置高阻+MOS電路容易燒壞?

ID:709761 · 發(fā)表于 2022-9-16 17:24

為了低功耗分壓電阻的電流用MOS關閉，測電壓時打開MOS，但有個問題關閉MOS，24V經過100K電阻到IO口，雖然IO口設置高阻，但還是容易燒壞單片機。不想用PMOS和NMOS組合關斷正極。有什么更簡單的解決辦法嗎
目前有三種方法：兩個二極管雙向鉗位，用一個穩(wěn)壓管，用雙向TVS，哪個比較好。既然有R6,那么R2有必要加嗎

ID:466250 · 發(fā)表于 2024-6-26 18:01

188610329 發(fā)表于 2022-9-19 14:49
不知道你那個MOS管，是用來干什么的……

這個電路用了3年半，從來沒出過問題，IOA測電壓， IOB 控制通斷 ...

你這個電路ioa的電壓肯定是6v以內的，iob關斷后，60v經680k到ioa還是會有電流，iob關不關意義何在？

ID:466250 · 發(fā)表于 2024-6-26 17:59

io內部已經有鉗位二極管，并不能解決燒單片機的問題，加穩(wěn)壓管或tvs可以解決燒單片機的問題
電路本身是想在睡眠時直接關斷支路降低功耗
所以增加穩(wěn)壓管和tvs后，并不能低功耗，因為支路電流=（vin-zd）/r

ID:88256 · 發(fā)表于 2024-6-26 16:35

需要那么省電嗎？就算使用電池長期通電，電流才多少？

ID:1045316 · 發(fā)表于 2022-9-20 15:16

MOS管最容易燒的我覺得dir8870這個不錯

ID:624769 · 發(fā)表于 2022-9-20 14:40

李冬發(fā)表于 2022-9-19 17:21
你用是什么單片機

該方式，51核的多種單片機都用過，都沒有出問題。（當然，前提是支持開漏，但凡有默認上拉的單片機引腳都不可以）

上面提到的+60V用了3年半的是用 STC15W408As的部分電路。（不過，此單片機默認是準雙向，需要保證單片機先通電，改變端口模式后，高電壓再通電，這個設計比較煩，所以后來的項目都是用的默認高阻或者默認開漏的片子。）

ID:420836 · 發(fā)表于 2022-9-20 09:45

可以不用 MOSFET, 保持分壓器不變，或使用雙二極管進行電壓鉗位。

ID:709761 · 發(fā)表于 2022-9-19 17:21

188610329 發(fā)表于 2022-9-19 14:49
不知道你那個MOS管，是用來干什么的……

這個電路用了3年半，從來沒出過問題，IOA測電壓， IOB 控制通斷 ...

你用是什么單片機

ID:1034948 · 發(fā)表于 2022-9-19 15:09

你把檢測電路和MOS換一個位置就不會燒IC了，24V經MOS管再來IO口檢測。你上面檢測的時候R7電阻沒有接地，所有電壓24V直接供IC了。

ID:624769 · 發(fā)表于 2022-9-19 14:49

不知道你那個MOS管，是用來干什么的……

這個電路用了3年半，從來沒出過問題，IOA測電壓， IOB 控制通斷。
60V 都OK 實在不知道你怎么做到 24V 就燒單片機的。

ID:398754 · 發(fā)表于 2022-9-19 09:06

單片機推動MOS管，不能直接用這種電路，要通過隔離電路或高阻單通道才不會損壞單片機

ID:725110 · 發(fā)表于 2022-9-19 08:37

李冬發(fā)表于 2022-9-17 07:52
不是有100K電阻限流嗎

瞬間電壓無法保證

ID:709761 · 發(fā)表于 2022-9-17 07:52

圓就是圈圈發(fā)表于 2022-9-16 18:47
24V直接沖IO口，怎么看也會燒壞的，開漏輸出也不能這么整

不是有100K電阻限流嗎

ID:796531 · 發(fā)表于 2022-9-16 19:26

IO5要么接一個3V穩(wěn)壓管到地，要么IO5接一個二極管到單片機電源

ID:725110 · 發(fā)表于 2022-9-16 18:50

或許可以試試在24V和單片機之間接一個20V的穩(wěn)壓管

ID:725110 · 發(fā)表于 2022-9-16 18:47

24V直接沖IO口，怎么看也會燒壞的，開漏輸出也不能這么整

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