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負載開關電路的疑問

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樓主

ID:709761 發表于 2022-9-19 11:06 | 只看該作者 |只看大圖回帖獎勵

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IO2高電平，負載開關打開，就過流保護了，加緩啟動電容C3，容量很大，也會保護，后來發現去掉C6，就正常。是不是C6的ESR太小，造成浪涌電流。
C6電容必須要加，現在緩啟動C3的容量不能再加大，有什么好辦法解決嗎，能不能再C5和C6之間加個合適的電阻。
另個問題，有R13，可控硅的門極電阻可以省略嗎

51hei圖片_20220919110009.png (17.98 KB, 下載次數: 76)

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沙發

ID:429003 發表于 2022-9-19 14:33 | 只看該作者

R12連接到R13下面！ C3 = 100nF、R12 = 10K、R13 = 100K！ MOS管左邊其它元件省略！

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板凳

ID:709761 發表于 2022-9-19 14:44 | 只看該作者

xstong 發表于 2022-9-19 14:33
R12連接到R13下面！ C3 = 100nF、R12 = 10K、R13 = 100K！ MOS管左邊其它元件省略！

Q777的VGS電壓不能大于20V,R12和R13分壓用的

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地板

ID:429003 發表于 2022-9-19 15:19 | 只看該作者

李冬發表于 2022-9-19 14:44
Q777的VGS電壓不能大于20V,R12和R13分壓用的

耐壓問題在GS之間添加雙向TVS保護管就解決了，主要是開關打開瞬間，要使得MOS管緩慢打開才能減小負載對電源的沖擊！打開快慢時間調節R13就可以了。

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5^#

ID:796531 發表于 2022-9-19 21:32 | 只看該作者

C6 是不是貼片，查查耐壓是否夠

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