全橋、半橋、推挽電路中用的MOS一般都是NMOS，特別市在高壓端，很少看到有PMOS，這...

ID:668004 · 發(fā)表于 2022-12-3 11:08

全橋、半橋、推挽電路中用的MOS一般都是NMOS，特別市在高壓端，很少看到有PMOS，這是基于什么考慮？可以從哪幾個(gè)方面來分析？

1.NMOS耐壓更高，工藝更簡(jiǎn)單？

2.

3........

歡迎接龍

ID:883242 · 發(fā)表于 2022-12-3 11:31

同樣性能，N溝更加便宜。同等價(jià)格，N溝性能更好。

ID:688692 · 發(fā)表于 2022-12-3 14:23

P溝道的電壓高了驅(qū)動(dòng)一樣要加隔離，既然都要隔離還不如一起用N的了。

ID:712493 · 發(fā)表于 2022-12-3 16:35

好像同樣規(guī)格的NMOS PMOS PMOS的導(dǎo)通電阻要大一些？

ID:1034262 · 發(fā)表于 2022-12-3 18:34

相同條件下，N溝的比P溝的內(nèi)阻更小、電流更大，上下管都用N溝，則輸出對(duì)稱，損耗小。

ID:965189 · 發(fā)表于 2022-12-3 21:24

在功放輸出級(jí)，我用PMOS,NMOS配對(duì)管。還未試過上下用NMOS的。

ID:170206 · 發(fā)表于 2022-12-3 22:17

上管PMOS驅(qū)動(dòng)開通時(shí)要求的驅(qū)動(dòng)電壓更高，上管NMOS開通可以用自舉電容解決這個(gè)問題，因此驅(qū)動(dòng)級(jí)不會(huì)涉及很高電壓

ID:319585 · 發(fā)表于 2022-12-4 16:22

把自舉電容的原理學(xué)會(huì)了一切就變得簡(jiǎn)單了，你會(huì)發(fā)現(xiàn)用自舉電容比用pmos好多了。

ID:668004 · 發(fā)表于 2022-12-15 11:05

hmsfeng 發(fā)表于 2022-12-3 22:17
上管PMOS驅(qū)動(dòng)開通時(shí)要求的驅(qū)動(dòng)電壓更高，上管NMOS開通可以用自舉電容解決這個(gè)問題，因此驅(qū)動(dòng)級(jí)不會(huì)涉及很高 ...

PMOS不是低導(dǎo)通嗎！

ID:276685 · 發(fā)表于 2022-12-15 13:41

NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈→S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高)
也就是說用nmos作buck-boost電路上管時(shí)需要有高于供電電壓的控制電壓一般由自舉電容提供,但是一旦開關(guān)占空比過高自舉電路就會(huì)失效,這也是nmos做上管不能100占空比的原因,除非你單弄一路電源

PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾→D，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5~-10V（S電位比G電位高)
一般電路很少弄負(fù)電源這就很大程度上限制了pmos的應(yīng)用.在小電流5A以內(nèi)吧pmos也是能媲美nmos的.pmos做上管就能很好的解決100占空比的問題.

ID:1034262 · 發(fā)表于 2022-12-15 15:32

fbn20050523 發(fā)表于 2022-12-15 13:41
NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈→S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高)
也就是說用nm ...

PMOS需要負(fù)的柵壓，是指G比S電壓低，并不是真的要一個(gè)負(fù)電源。

ID:883242 · 發(fā)表于 2022-12-15 16:37

coody_sz 發(fā)表于 2022-12-15 15:32
PMOS需要負(fù)的柵壓，是指G比S電壓低，并不是真的要一個(gè)負(fù)電源。

可能說的是小功率場(chǎng)合，數(shù)字集成電路工藝發(fā)展線路是TTL、PMOS、NMOS、CMOS，當(dāng)年的PMOS電路就是負(fù)電源的。

ID:276685 · 發(fā)表于 2022-12-15 20:45

coody_sz 發(fā)表于 2022-12-15 15:32
PMOS需要負(fù)的柵壓，是指G比S電壓低，并不是真的要一個(gè)負(fù)電源。

看你用在高側(cè)還是低側(cè)

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全橋、半橋、推挽電路中用的MOS一般都是NMOS，特別市在高壓端，很少看到有PMOS，這...