求助nmos管柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型問(wèn)題

ID:874416 · 發(fā)表于 2023-8-18 17:47

各位大佬，是這樣的，之前柵極驅(qū)動(dòng)使用了lm5060,電源輸入是60V左右,但在實(shí)際測(cè)試中，輸出連負(fù)載儀時(shí)，幾十W的情況下直接讓lm5060控制nmos關(guān)閉再開(kāi)啟后，柵極驅(qū)動(dòng)芯片出現(xiàn)了響聲，然后mos管會(huì)損壞，一直導(dǎo)通。
之后負(fù)載接功率電阻一百多W情況下，關(guān)閉再開(kāi)啟mos管，是沒(méi)有問(wèn)題的。但是負(fù)載接電機(jī)測(cè)試又不可以了。測(cè)試幾次，柵極驅(qū)動(dòng)芯片和mos管都出現(xiàn)過(guò)損壞情況。
不帶負(fù)載情況下開(kāi)關(guān)mos時(shí)，幾十A電流，60V長(zhǎng)時(shí)間通過(guò)，電路板正常。
求助各位大佬，什么型號(hào)可以在電路輸出帶負(fù)載情況下關(guān)斷開(kāi)啟mos管不會(huì)損壞�。�

ID:1088185 · 發(fā)表于 2023-8-18 21:23

上電路圖吧

ID:25903 · 發(fā)表于 2023-8-19 09:03

接感性負(fù)載時(shí)，輸出mos管關(guān)斷時(shí)，該漏極會(huì)有較大的反向電壓（相對(duì)于阻性負(fù)載）。而大功率的MOS管，其米勒電容是比較大的（或者說(shuō)Cgd）。此時(shí)這個(gè)高壓會(huì)通過(guò)功率mos管的電容Cgd加載到驅(qū)動(dòng)芯片上，進(jìn)而損壞驅(qū)動(dòng)芯片。
簡(jiǎn)單的處理是在驅(qū)動(dòng)芯片的輸出端加TVS來(lái)吸收就行了。假如你驅(qū)動(dòng)芯片輸出的電壓是10V，那你就加11V或12V的TVS。

ID:491875 · 發(fā)表于 2023-8-19 17:45

UCC27511可以提供最大4A拉電流8A灌電流，很適合驅(qū)動(dòng)MOS管或者IGBT.

ID:1089167 · 發(fā)表于 2023-8-21 09:49

首先，接電機(jī)的時(shí)候，負(fù)載屬于感性的，Nmos管在開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)候，在MOS管的D端會(huì)出現(xiàn)一個(gè)很大的di/dt，這個(gè)是很危險(xiǎn)的，相當(dāng)于讓MOS管瞬間承受一個(gè)很大的電流尖峰，然后這個(gè)di/dt會(huì)順著米勒電容影響MOS管的關(guān)斷，導(dǎo)致出現(xiàn)平臺(tái)震蕩現(xiàn)象，進(jìn)而損壞MOS管甚至是驅(qū)動(dòng)IC，根據(jù)樓主的描述，可知樓主的情況屬于低壓大電流，關(guān)斷時(shí)候是非常難做的搞不好就會(huì)損壞MOS管，解決這類(lèi)問(wèn)題，一般需要多做測(cè)試，去檢測(cè)MOS管關(guān)斷時(shí)候平臺(tái)震蕩的波形，把波形調(diào)試好，就可以減少M(fèi)OS損壞的情況，MOS選型的話(huà)可以考慮Cgs電容大點(diǎn)的在關(guān)斷的時(shí)候可以有效降低di/dt

ID:123289 · 發(fā)表于 2023-8-21 10:25

上圖更利于它人分析。圖是最好的語(yǔ)言。

ID:879348 · 發(fā)表于 2023-8-23 15:49

應(yīng)該是上升過(guò)程太慢了

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