是不是放大倍數高的三極管，更容易進入飽和區

ID:709761 · 發表于 2023-9-13 08:51

哪些型號的三極管。基極1uA的小電流，能快速進入飽和區。
達林頓管，飽和導通壓降小。SOT-23封裝型號的，有哪些

ID:883242 · 發表于 2023-9-13 14:25

數字電路一般采用開環無反饋，你的結論是正確的。

模擬電路都是靠負反饋保持在線性區，跟放大倍數幾乎無關，進入飽和區是電路設計錯誤。

ID:123289 · 發表于 2023-9-13 15:45

可以這樣認為。但不是要點！
要點是：Vce兩點間的電壓。
1、電壓方向正確（集電極電壓反偏）。接錯了，就談不上放大、飽和了，無意義！
2、Vce有調節的空間時（如Vce = 1.5V，向下還可調），必定工作于放大區。被【擠死】無調節余地（如Vce = 0.1V，向下接近0了，無調節空間了），則認為是飽和了。

舉例：
NPN典型標準電路：Ib = 0.1mA，放大位數 = 100，集電極負載電阻 Rc = 1K 。
則IC = 10mA，URc= 10mA * 1K = 10V。
這時你計算Vce：Vce = Vcc - URc
當Vcc <10V時，你會發現 Vce <0，這是不可能的，只能接近0，也就是飽和了。
當Vcc >11V時，Vce >1V，向下還有1V的空間。所以工作于放大區。

記住：要點！
1、當Vce向上無調節空間（接近電源電壓）時，判為：【截止】。
2、當Vce向下無調節空間（接近0）時，判為：【飽和】。
3、其余：則是【放大區】。
當然電壓方向必須接正確，否則討論以上無意義！
臨界點如何定義呢？
一般硅管取0.3V、鍺管取0.1V。不一而認，參考手冊上的特性圖為佳。
設計中，將靜態Vce 設計在 Vcc的一半電壓時，可以得到最大不失真的正弦波電壓，峰峰值最大達到 = Vcc。

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是不是放大倍數高的三極管，更容易進入飽和區