請問大家三極管和MOS管哪個開關(guān)速度更快呢

ID:1063563 · 發(fā)表于 2023-10-19 03:03

請問大家，三極管和MOS管哪個開關(guān)速度更快呢

ID:517951 · 發(fā)表于 2023-10-19 07:22

這么說吧, 三極管里面有低頻管(9013)高頻管(9018)之分, mos管里面也有高頻, 低頻之分.

ID:332444 · 發(fā)表于 2023-10-19 07:27

看參數(shù),都有頻率參數(shù),只要選合適參數(shù)即可.

ID:857072 · 發(fā)表于 2023-10-19 07:31

三極管和MOS管的開關(guān)速度受多種因素影響，但通常情況下，MOS管（MOSFET）的開關(guān)速度更快。這是因為MOS管具有較低的輸入電阻和容性，因此可以更快地響應(yīng)控制信號，實現(xiàn)快速的開關(guān)操作。然而，具體的性能取決于器件的型號和設(shè)計，所以在具體應(yīng)用中需要考慮各種因素。

ID:460466 · 發(fā)表于 2023-10-19 07:42

一時還真不知道！

ID:460466 · 發(fā)表于 2023-10-19 07:48

亂套了！！

ID:628113 · 發(fā)表于 2023-10-19 09:04

這個沒有必然聯(lián)系。三極管，mos各有高低速型號，需要查手冊。同樣極間電容的話，三極管理論上因為阻抗小，要略快一點，實際上這點差距遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有制造工藝的影響大。

ID:1007932 · 發(fā)表于 2023-10-19 09:42

試過小功率三極管，發(fā)現(xiàn)做開關(guān)時沒有放大時快，bjt進入飽和區(qū)后退出來很慢，MOS的GS極等效為電容，電荷可以用驅(qū)動的負(fù)壓強行抽出來，另外就是三極管有個增益帶寬積，方波含有大量的頻率分量，會顯得ft很虛，MOS沒標(biāo)增益帶寬積，但見過普通功率MOS用在短波功放上的，還有現(xiàn)在的升降壓芯片用的都是MOS，動不動就是上MHz的開關(guān)頻率，但我認(rèn)為這樣比較沒啥意義，碳化硅，氮化鎵也是MOS,三極管也有射頻管，只能說哪個更適合

ID:1083996 · 發(fā)表于 2023-10-19 10:59

三極管、場效應(yīng)管、電子管，都有微波管，這個頻率夠高不；
總體上，電子管是淘汰的，三極管現(xiàn)在很少有人費大精力去搞了，現(xiàn)在小功率的就是場效應(yīng)管，大功率的就是IGBT

ID:61140 · 發(fā)表于 2023-10-22 23:06

MOS管通常工作于幾十KHZ，連MHZ的MOS管子都很難找到，三極管很多可以工作到GHZ，這個好理解吧。

ID:420836 · 發(fā)表于 2023-10-23 08:09

雙極結(jié)型晶體管BJT 可以比 MOSFET 更快。

ID:382454 · 發(fā)表于 2023-10-23 10:36

不好說，兩種管都是有高低頻應(yīng)用的。

ID:883242 · 發(fā)表于 2023-10-23 14:37

xiaoyuxinke 發(fā)表于 2023-10-22 23:06
MOS管通常工作于幾十KHZ，連MHZ的MOS管子都很難找到，三極管很多可以工作到GHZ，這個好理解吧。

你說反了，BJT上百MHz特征頻率的，用于開關(guān)，頻率也就幾十kHz的水平，你沒搞過不要亂說，8樓已經(jīng)說清楚了。MOSFET沒有頻率特性，只有柵極電容，只要你能克服這個電容，想要多高的頻率就能做到多高的頻率。

ID:1034262 · 發(fā)表于 2023-10-23 14:39

這個看實際應(yīng)用，我一個三極管9018可以工作到800MHz，我還沒用過MOSFET能這么高速的。
MOSFET很合適做開關(guān)管，但是速度快則驅(qū)動電流很大，幾百mA都常見，比如某個MOSFET的Total Charge為50nC，我要求柵極電壓0.1us充到10V（常用速度0.04~1us），則G極充放電電流為500mA。

ID:1097455 · 發(fā)表于 2023-10-27 10:46

你是需要多高的頻率呀，兩種管子常用的都可以達(dá)到M級別的

ID:598611 · 發(fā)表于 2023-10-27 10:53

三極管的工作頻率高.MOS管只是一下開關(guān)器件工件在大電流電路中

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請問大家三極管和MOS管哪個開關(guān)速度更快呢