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請教一下各位,如下兩個電路,第一個電路是接三極管驅MOS管

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ID:293079 發表于 2024-1-15 17:38 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
請教一下各位,如下兩個電路,第一個電路是接三極管驅MOS管。第二個是接光耦驅動MOS。但是第一個不能完全MOS管。第二個可以正常工作。是什么原因造成的,謝謝
51hei截圖20240115173853.png
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ID:1006638 發表于 2024-1-15 21:40 | 顯示全部樓層
三極管E極對地不通不能滿足導通條件。改為PNP型E接12v,C接柵極,R17改接上啦,PMW改反向驅動。
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ID:1109254 發表于 2024-1-15 22:45 | 顯示全部樓層
大IGBT 發表于 2024-1-15 21:40
三極管E極對地不通不能滿足導通條件。改為PNP型E接12v,C接柵極,R17改接上啦,PMW改反向驅動。

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ID:883242 發表于 2024-1-15 23:03 | 顯示全部樓層
Q3應該是PNP的.
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ID:1109249 發表于 2024-1-15 23:15 | 顯示全部樓層
樓上說的對,要改為PNP的,驅動要反向
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ID:771630 發表于 2024-1-15 23:46 | 顯示全部樓層
第一個圖MOS G級只有PWM電平-0.7的電壓,如果是5V及以下,mos壓根不能完全導通,建議改成上拉+NPN控制,如果對速度有要求,可以增加一個低端MOS驅動
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ID:965189 發表于 2024-1-16 08:18 | 顯示全部樓層
第一個電路的三極管導通后的內阻較大,不能提供足夠的電壓給MOS管的G極。可能這個MOS管的啟動電壓較高,如果啟動電壓4V,l加上三極管的0.7V,已經4.7V了。所以不能啟動MOS管。
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ID:1107377 發表于 2024-1-16 08:40 | 顯示全部樓層

將Q3更換為PNP型晶體三極管,R17作為Q3下偏置電阻以保證其導通。
未標題-1.jpg
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ID:74687 發表于 2024-1-16 09:51 | 顯示全部樓層
975336981 發表于 2024-1-16 08:40
將Q3更換為PNP型晶體三極管,R17作為Q3下偏置電阻以保證其導通。

你這個Q3是不是畫反了,R17A是不是要改成上拉?
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ID:69038 發表于 2024-1-16 09:58 | 顯示全部樓層
第一個電路中,Q4柵極電壓約等于PWM電壓-0.7V(Q3的Vbe),如果PWM高電平是3V3,那么G極電壓就只有2.6左右了,很難讓高Vgs的NMOS管導通。Q3這樣的接法,只可以放大電流,但MOS管卻是電壓驅動型器件,所以放大電流沒必要,也行不通的。
要么如樓上所說改成PNP管,要么嘗試選用低Vgs的NMOS管,比如ST2302,Vgs可低到2.5V。
個人淺見。。
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ID:332444 發表于 2024-1-16 10:23 | 顯示全部樓層
第一個電路圖設計上就是錯的,要知道場效應管具有結電容,必須設計泄放回路,否則驅動的電壓無法消失.
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ID:69038 發表于 2024-1-16 10:32 | 顯示全部樓層
zhuls 發表于 2024-1-16 09:58
第一個電路中,Q4柵極電壓約等于PWM電壓-0.7V(Q3的Vbe),如果PWM高電平是3V3,那么G極電壓就只有2.6左右 ...

大意了!如果換用PNP管,將出現新的問題 :B極的電壓一直低于E極的+12V,Q3會一直導通,電路失效。。。
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ID:332444 發表于 2024-1-16 10:36 | 顯示全部樓層
第二個電路也存在同樣問題,除了驅動電壓要滿足要求外,結電壓泄放必須的.
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ID:1107377 發表于 2024-1-16 11:43 | 顯示全部樓層
R17A作為PNP管下偏置電阻(需要考慮阻值),以保證Q3導通。Q3添加一個集電極電阻,提供MOS管柵極工作電壓。不知此法是否可行。

添加集電極電阻.jpg
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ID:1088185 發表于 2024-1-16 12:02 | 顯示全部樓層
兩個電路都有問題, 都需要在GS之間加個電阻放電
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ID:302016 發表于 2024-1-16 14:03 | 顯示全部樓層
三極管要換成P管,R17不接地,接到12V處,其次MOS基極串接小電阻,還要加下拉電阻。你的光耦電路,原副邊不供地,mos也要基極串接小電阻,還要加下拉電阻
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ID:491577 發表于 2024-1-17 22:54 | 顯示全部樓層
樓主對COM管一竅不通,兩個電路都是錯漏百出,第一個無法打開COM管,第二個無法關閉COM管,這兩個電路錯誤太多,沒有修改的價值,重新做吧。
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