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再問充電的問題

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樓主
ID:668004 發(fā)表于 2024-4-28 22:30 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
1.直接用12.6V給三串鋰電池12.6V充電,怎么感覺充得很慢。為啥一定要降壓充電或者升降壓充電才能實(shí)現(xiàn)快充,或者適配器輸出18V,24經(jīng)過充電芯片給電池組充電也可以實(shí)現(xiàn)更短的時(shí)間就把電池充滿,而充電芯片給到電池端的充電電壓并沒有超過12.6V。

2.氮化鎵和碳化硅是兩種半導(dǎo)體材料還是說是一種快充技術(shù)必須用到的元件?我看很多適配器充電器甚至絲印都是GaN  SiC
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ID:344848 發(fā)表于 2024-4-28 23:39 | 只看該作者
1、充電電壓一定要高于電池電壓,因?yàn)橐紤]線路的壓降,充電線溫度效應(yīng)(熱量是一個(gè)積累的過程)致使電阻增大,發(fā)熱量要大;充電器的轉(zhuǎn)換效率(充電器發(fā)熱,效率降低),芯片的效率等等。上述因素都會(huì)對充電過程產(chǎn)生不利影響。看似一個(gè)簡單充電過程實(shí)際要考慮的因素很多。整個(gè)效率為諸多效率的乘積,效率是小于1的數(shù)字,多個(gè)小于1的數(shù)相乘一定小于一個(gè)小于1的數(shù)。
2、使用線性電源充電效率一定小于開關(guān)電源充電效率,降壓或升降壓電路是開關(guān)電源充電。
3、鋰電充電必須使用BMS(電源管理系統(tǒng)),說道BMS想起一事,我們生產(chǎn)的手機(jī)大多數(shù)使用%生產(chǎn)的芯片,前幾年,%將1.4元升為14元(整整10倍),因?yàn)?十分了解手機(jī)的生產(chǎn)過程,更換芯片的成本是上千倍的花費(fèi),現(xiàn)在手機(jī)自動(dòng)化生產(chǎn)的時(shí)間不到一分鐘,而完成自動(dòng)化生產(chǎn)的時(shí)間可能只少幾天,幾天是多少個(gè)一分鐘,另外,這個(gè)成本轉(zhuǎn)化到消費(fèi)者身上。
4、GaN  SiC芯片發(fā)熱量比Si低很多,解決手機(jī)散熱問題是一個(gè)頭疼問題。例外GaN  SiC芯片耐壓高。
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板凳
ID:344848 發(fā)表于 2024-4-28 23:43 | 只看該作者
進(jìn)步很快,從5個(gè)問題變成2個(gè)問題,問題太多,需要分析和考慮的時(shí)間太長,回答的概率越少。
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地板
ID:155507 發(fā)表于 2024-4-29 08:39 | 只看該作者
充電器輸出的電壓和電流應(yīng)根據(jù)設(shè)備的需求來選擇。較高的輸出電壓和電流可以提供更多的功率,從而實(shí)現(xiàn)更快的充電速度。然而,必須確保設(shè)備能夠安全地接受這些電壓和電流。
使用充電協(xié)議芯片可以確保設(shè)備和充電器之間的通信和協(xié)調(diào),從而實(shí)現(xiàn)更高效的充電過程。

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種常用于制造功率半導(dǎo)體器件的材料。它們具有較高的導(dǎo)熱性和耐高溫性,可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更高的工作頻率。
在充電器和適配器中使用氮化鎵和碳化硅器件可以實(shí)現(xiàn)更高的效率和更小的體積,從而提高充電器的性能和便攜性。
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5#
ID:344848 發(fā)表于 2024-5-7 23:19 | 只看該作者
我已經(jīng)上傳了《DIY手機(jī)快沖開關(guān)電源適配器》的電路原理圖,后續(xù)還要上傳相關(guān)的資料。
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6#
ID:668004 發(fā)表于 2024-5-15 22:35 | 只看該作者
angmall 發(fā)表于 2024-4-29 08:39
充電器輸出的電壓和電流應(yīng)根據(jù)設(shè)備的需求來選擇。較高的輸出電壓和電流可以提供更多的功率,從而實(shí)現(xiàn)更快的 ...

說白了就是這兩種器件是功率大  體積小  是嗎
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7#
ID:344848 發(fā)表于 2024-5-17 15:44 | 只看該作者
QWE4562012 發(fā)表于 2024-5-15 22:35
說白了就是這兩種器件是功率大  體積小  是嗎

不是,應(yīng)是耐壓高和發(fā)熱量小
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