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由于晶體管內(nèi)置晶體管的EB間與電阻R2并聯(lián)，所以R2也同樣外加了0.7V電壓。從而可知，R2上有IR2= 0.7V/10KΩ=70μA的電流通過。 當(dāng)輸入電壓Vin為3.3V時(shí)，因?yàn)閮?nèi)置晶體管的EB 間電位差是0.7V，所以電阻R1兩端的電壓是 3.3V-0.7V = 2.6V 。從而可知，R1上有IR1= 2.6V/4.7KΩ = 553.2uA的電流通過。從而可知，內(nèi)置晶體管的基極有553.2μA-70μA= 483.2μA的電流通過。這樣就可以計(jì)算出流過內(nèi)置晶體管的基極電流。由于三極管正向電壓受溫度影響，當(dāng)溫度為25℃時(shí)，VBE正向電壓約為0.7V。溫度變化時(shí)，溫度每上升1℃該正向電壓便減小約2.2mV。例如，50℃時(shí)約為0.7V- (50℃-25℃)×2.2mV= 0.645V。反之，溫度降低到-40℃時(shí)約為0.7V+ (25℃- (-40℃))×2.2mV= 0.843V。
對(duì)于晶體管，內(nèi)置電阻R1、R2有±30％上下的偏差，所以要考慮并計(jì)算電阻值為最不利的情況。
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