有大神幫我改一下單片機代碼嗎? eeprom的按字節寫入

ID:1130333 · 發表于 2024-10-22 20:15

首先定義一個sbit cap=P32;
P32 連接一個22uf電容,然后接地.,上電后 P32在 0.5秒后,充滿電應該是屬于低電平,(P32=0)
在這0.5秒內,應該屬于高電平(P32=1).
那我直接判斷 if(P32==1) 那就寫eeprom(按字節寫入), 如果P32==0 那就讀取上一次寫的eeprom

這不就實現我的需求了嗎? 按照這個邏輯,我自己寫了一個代碼 .但是老是有問題.

單片機源程序如下:

#include "stc8g.h"
#include "intrins.h"
#include <stdio.h>
#define MAIN_Fosc 11059200UL
#define BRT (65536 - MAIN_Fosc / 115200 / 4)
typedef unsigned char u8;
typedef unsigned int u16;
u8 dat; //定義eeprom 儲存數據,但實際好像沒用上
u16 EEPROMId = 0x0020; //定義eeprom的地址
sbit cap = P3^2; //p32引腳連電容,接地做電平判定
void sys_init(); //聲明系統初始化配置
void PWM_init(void); //聲明pwm
void main()
{
unsigned char x; //定義變量x 用于讀取eeprom
unsigned char y=5; //定義變量y用于保存pwm值
sys_init(); //調用系統配置
P3M0 = 0x00; P3M1 = 0x00; //P32 輸出對電容充電
P5M0 = 0x00; P5M1 = 0x00; //pwm 設置在p55口
x = IapRead(EEPROMId); //讀取的當前eeprom 賦值給x
while(1)
{
if(cap) //如果p32引腳充電中 p32==1
{
IapProgram(EEPROMId,y); //寫地址為0x0020 為 y(以后設置為switch或者數組)
EEPROMId=EEPROMId+1; //下次寫eeprom +1 0x0021 ,在下次0x0022 以此類推
y=y+1; //pwm亮度數組+1 (1,15,55,255)
}
CCAP2H=x; //把x寫入的值賦值給pwm
if(EEPROMId >= 0X1FE) //如果當前字節到達EEPROM末尾，擦除扇區數據
{
IapErase(0x0020); //擦除扇區
EEPROMId = 0x0020; //從頭開始按字節寫入
}
}
}
void sys_init(void)
{
P_SW2=0x80;
PWM_init();
EA=1; //打開總中斷
}
//// 初始化PWM功能 P55 pwm
void PWM_init(void)
{
P_SW1=0x20;
CCON = 0x00;
CMOD = 0x08;
CL = 0x00;
CH = 0x00;
CCAPM2 = 0x42;
PCA_PWM2 = 0x00;
CCAP2L = 0x00;
CCAP2H = 0x00;
CR=1;
}
void delayms(u16 ms)
{
unsigned int i;
do{
i = MAIN_Fosc /10000;
while(--i);
}while(--ms);
}
void IapIdle()
{
IAP_CONTR = 0; // 關閉 IAP 功能
IAP_CMD = 0; // 清除命令寄存器
IAP_TRIG = 0; // 清除觸發寄存器
IAP_ADDRH = 0x00; // 清零高地址寄存器
IAP_ADDRL = 0x00; // 清零低地址寄存器
}
char IapRead(unsigned int addr)
{
char dat;
IAP_CONTR = 0x80; // 使能 IAP
IAP_TPS = 12; // 設置等待參數 12MHz
IAP_CMD = 1; // 設置 IAP 讀命令
IAP_ADDRL = addr; // 設置 IAP 低地址
IAP_ADDRH = addr >> 8; // 設置 IAP 高地址
EA=0;
_nop_();
_nop_();
IAP_TRIG = 0x5a; // 寫觸發命令 (0x5a)
IAP_TRIG = 0xa5; // 寫觸發命令 (0xa5)
EA=1;
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
dat = IAP_DATA; // 讀 IAP 數據
IapIdle(); // 關閉 IAP 功能
return dat;
}
void IapProgram(unsigned int addr, char dat)
{
IAP_CONTR = 0x80; // 使能 IAP
IAP_TPS = 12; // 設置等待參數 12MHz
IAP_CMD = 2; // 設置 IAP 寫命令
IAP_ADDRL = addr; // 設置 IAP 低地址
IAP_ADDRH = addr >> 8; // 設置 IAP 高地址
IAP_DATA = dat; // 寫 IAP 數據
EA=0;
_nop_();
_nop_();
IAP_TRIG = 0x5a; // 寫觸發命令 (0x5a)
IAP_TRIG = 0xa5; // 寫觸發命令 (0xa5)
EA=1;
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
IapIdle(); // 關閉 IAP 功能
}
void IapErase(unsigned int addr)
{
IAP_CONTR = 0x80; // 使能 IAP
IAP_TPS = 12; // 設置等待參數 12MHz
IAP_CMD = 3; // 設置 IAP 擦除命令
IAP_ADDRL = addr; // 設置 IAP 低地址
IAP_ADDRH = addr >> 8; // 設置 IAP 高地址
EA=0;
_nop_();
_nop_();
IAP_TRIG = 0x5a; // 寫觸發命令 (0x5a)
IAP_TRIG = 0xa5; // 寫觸發命令 (0xa5)
EA=1;
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
IapIdle(); // 關閉 IAP 功能
}

復制代碼

ID:57657 · 發表于 2024-10-22 22:34

字節讀:可使用unsigned char/int/long code指針匯編成MOVC指令即可訪問，不需要配置EEPROM寄存器，字節寫將二進制1寫為0且不可逆，必須扇區擦除才能恢復，沒有字節擦除，擦除后全部為0xFF(二進制1)，一次擦512字節。

ID:1130333 · 發表于 2024-10-22 23:07

npn 發表于 2024-10-22 22:34
字節讀:可使用unsigned char/int/long code指針匯編成MOVC指令即可訪問，不需要配置EEPROM寄存器，字節寫將 ...

可以幫忙完善下我的代碼嗎?
512 個字節,,
從0可以寫,每次小于0.5秒的關,開機,都寫一次新數據.
寫到510 就擦除這個扇區,然后再從 0 開始寫.

ID:1133081 · 發表于 2024-10-23 06:10

P3M0 = 0x00; P3M1 = 0x00;配置是準雙向高電平，P32 連接一個22uf電容,然后接地，在上電后短暫時間內P32電壓由0逐漸上升到接近VCC。從一般意義講，端口電壓小于1/3VCC判斷為低電平，大于2/3VCC判斷為高電平。中間為不確定狀態（因芯片制造工藝不同，其電氣特性有差異，要以其用戶手冊為準）。樓主以此方法取樣不妥。再者樓主在主循環中頻繁讀寫EEPROM也是忌諱。通常做法是設置一個變量，掉電時保存這個變量的數據在EEPROM中，再次上電初始化時讀取保存的數據賦值這個變量。

ID:143767 · 發表于 2024-10-23 10:05

上電瞬間是低電平，充滿電后是高電平，你正好理解反了

ID:1130333 · 發表于 2024-10-23 12:49

WL0123 發表于 2024-10-23 06:10
P3M0 = 0x00; P3M1 = 0x00;配置是準雙向高電平，P32 連接一個22uf電容,然后接地，在上電后短暫時間內P32電 ...

可以幫忙完善下嗎?

ID:1130333 · 發表于 2024-10-23 12:49

dj3365191 發表于 2024-10-23 10:05
上電瞬間是低電平，充滿電后是高電平，你正好理解反了

可以幫忙完善下代碼嗎?

ID:69038 · 發表于 2024-10-23 16:41

如果是“上電后 P32在 0.5秒后,充滿電應該是屬于低電平”，充滿電后應是高電平的才對吧？

ID:1130333 · 發表于 2024-10-24 10:19

關鍵是eeprom單字節寫入.
這個沒問題

ID:1109793 · 發表于 2024-10-25 10:24

0.5秒關機再開機，開機后充電，此時單片機不一定能復位完成，關機后0.5秒，此時電容的電未必能放完。再開機不一定能及時復位并開始運行你的代碼。搞不懂為啥要這么操作。

ID:624769 · 發表于 2024-10-25 20:54

你是那個要做手電筒的吧？你的思路是不是搞錯了？
正確的思路應該是：
給單片機提供足夠大的電容，確保單片機在 0.5S 內不會被完全放電，當單片機檢測到“斷電”這個信號之后，給標志位F0置位1，然后設置 0.5秒的定時換醒后休眠。 0.5秒后休眠喚醒把F0清0繼續休眠。如果0.5秒內被來電喚醒，因為標志F0 為1 則模式增加1，同時跟新 Eeprom. 如果 0.5秒后被喚新，或者，時間很長徹底掉電了，重新上電，因為F0都為0 則讀取Eeprom 數據，繼續使用，原來的模式。

ID:1133081 · 發表于 2024-10-26 06:30

vb2002 發表于 2024-10-23 12:49
可以幫忙完善下嗎?

首先要明確表明你的需求是什么，才能提供有效的解決方案。

ID:1130333 · 發表于 2024-10-29 23:36

188610329 發表于 2024-10-25 20:54
你是那個要做手電筒的吧？你的思路是不是搞錯了？
正確的思路應該是：
給單片機提供足夠大的電容，確保 ...

手電功能上已經搞定了，
現在就是每次都是寫 1字節，然后擦除整個扇區，
覺得這樣太浪費了，eeprom壽命怕頂不住多久，
想弄成每次讀一字節，寫一字節，寫完 512或者 1024，2048，再擦除扇區，再從頭開始寫

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