有大神幫我改一下單片機(jī)代碼嗎? eeprom的按字節(jié)寫入

ID:1130333 · 發(fā)表于 2024-10-22 20:15

首先定義一個(gè)sbit cap=P32;
P32 連接一個(gè)22uf電容,然后接地.,上電后 P32在 0.5秒后,充滿電應(yīng)該是屬于低電平,(P32=0)
在這0.5秒內(nèi),應(yīng)該屬于高電平(P32=1).
那我直接判斷 if(P32==1) 那就寫eeprom(按字節(jié)寫入), 如果P32==0 那就讀取上一次寫的eeprom

這不就實(shí)現(xiàn)我的需求了嗎? 按照這個(gè)邏輯,我自己寫了一個(gè)代碼 .但是老是有問(wèn)題.

單片機(jī)源程序如下:

#include "stc8g.h"
#include "intrins.h"
#include <stdio.h>
#define MAIN_Fosc 11059200UL
#define BRT (65536 - MAIN_Fosc / 115200 / 4)
typedef unsigned char u8;
typedef unsigned int u16;
u8 dat; //定義eeprom 儲(chǔ)存數(shù)據(jù),但實(shí)際好像沒(méi)用上
u16 EEPROMId = 0x0020; //定義eeprom的地址
sbit cap = P3^2; //p32引腳連電容,接地做電平判定
void sys_init(); //聲明系統(tǒng)初始化配置
void PWM_init(void); //聲明pwm
void main()
{
unsigned char x; //定義變量x 用于讀取eeprom
unsigned char y=5; //定義變量y用于保存pwm值
sys_init(); //調(diào)用系統(tǒng)配置
P3M0 = 0x00; P3M1 = 0x00; //P32 輸出對(duì)電容充電
P5M0 = 0x00; P5M1 = 0x00; //pwm 設(shè)置在p55口
x = IapRead(EEPROMId); //讀取的當(dāng)前eeprom 賦值給x
while(1)
{
if(cap) //如果p32引腳充電中 p32==1
{
IapProgram(EEPROMId,y); //寫地址為0x0020 為 y(以后設(shè)置為switch或者數(shù)組)
EEPROMId=EEPROMId+1; //下次寫eeprom +1 0x0021 ,在下次0x0022 以此類推
y=y+1; //pwm亮度數(shù)組+1 (1,15,55,255)
}
CCAP2H=x; //把x寫入的值賦值給pwm
if(EEPROMId >= 0X1FE) //如果當(dāng)前字節(jié)到達(dá)EEPROM末尾，擦除扇區(qū)數(shù)據(jù)
{
IapErase(0x0020); //擦除扇區(qū)
EEPROMId = 0x0020; //從頭開(kāi)始按字節(jié)寫入
}
}
}
void sys_init(void)
{
P_SW2=0x80;
PWM_init();
EA=1; //打開(kāi)總中斷
}
//// 初始化PWM功能 P55 pwm
void PWM_init(void)
{
P_SW1=0x20;
CCON = 0x00;
CMOD = 0x08;
CL = 0x00;
CH = 0x00;
CCAPM2 = 0x42;
PCA_PWM2 = 0x00;
CCAP2L = 0x00;
CCAP2H = 0x00;
CR=1;
}
void delayms(u16 ms)
{
unsigned int i;
do{
i = MAIN_Fosc /10000;
while(--i);
}while(--ms);
}
void IapIdle()
{
IAP_CONTR = 0; // 關(guān)閉 IAP 功能
IAP_CMD = 0; // 清除命令寄存器
IAP_TRIG = 0; // 清除觸發(fā)寄存器
IAP_ADDRH = 0x00; // 清零高地址寄存器
IAP_ADDRL = 0x00; // 清零低地址寄存器
}
char IapRead(unsigned int addr)
{
char dat;
IAP_CONTR = 0x80; // 使能 IAP
IAP_TPS = 12; // 設(shè)置等待參數(shù) 12MHz
IAP_CMD = 1; // 設(shè)置 IAP 讀命令
IAP_ADDRL = addr; // 設(shè)置 IAP 低地址
IAP_ADDRH = addr >> 8; // 設(shè)置 IAP 高地址
EA=0;
_nop_();
_nop_();
IAP_TRIG = 0x5a; // 寫觸發(fā)命令 (0x5a)
IAP_TRIG = 0xa5; // 寫觸發(fā)命令 (0xa5)
EA=1;
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
dat = IAP_DATA; // 讀 IAP 數(shù)據(jù)
IapIdle(); // 關(guān)閉 IAP 功能
return dat;
}
void IapProgram(unsigned int addr, char dat)
{
IAP_CONTR = 0x80; // 使能 IAP
IAP_TPS = 12; // 設(shè)置等待參數(shù) 12MHz
IAP_CMD = 2; // 設(shè)置 IAP 寫命令
IAP_ADDRL = addr; // 設(shè)置 IAP 低地址
IAP_ADDRH = addr >> 8; // 設(shè)置 IAP 高地址
IAP_DATA = dat; // 寫 IAP 數(shù)據(jù)
EA=0;
_nop_();
_nop_();
IAP_TRIG = 0x5a; // 寫觸發(fā)命令 (0x5a)
IAP_TRIG = 0xa5; // 寫觸發(fā)命令 (0xa5)
EA=1;
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
IapIdle(); // 關(guān)閉 IAP 功能
}
void IapErase(unsigned int addr)
{
IAP_CONTR = 0x80; // 使能 IAP
IAP_TPS = 12; // 設(shè)置等待參數(shù) 12MHz
IAP_CMD = 3; // 設(shè)置 IAP 擦除命令
IAP_ADDRL = addr; // 設(shè)置 IAP 低地址
IAP_ADDRH = addr >> 8; // 設(shè)置 IAP 高地址
EA=0;
_nop_();
_nop_();
IAP_TRIG = 0x5a; // 寫觸發(fā)命令 (0x5a)
IAP_TRIG = 0xa5; // 寫觸發(fā)命令 (0xa5)
EA=1;
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
IapIdle(); // 關(guān)閉 IAP 功能
}

復(fù)制代碼

ID:57657 · 發(fā)表于 2024-10-22 22:34

字節(jié)讀:可使用unsigned char/int/long code指針匯編成MOVC指令即可訪問(wèn)，不需要配置EEPROM寄存器，字節(jié)寫將二進(jìn)制1寫為0且不可逆，必須扇區(qū)擦除才能恢復(fù)，沒(méi)有字節(jié)擦除，擦除后全部為0xFF(二進(jìn)制1)，一次擦512字節(jié)。

ID:1130333 · 發(fā)表于 2024-10-22 23:07

npn 發(fā)表于 2024-10-22 22:34
字節(jié)讀:可使用unsigned char/int/long code指針匯編成MOVC指令即可訪問(wèn)，不需要配置EEPROM寄存器，字節(jié)寫將 ...

可以幫忙完善下我的代碼嗎?
512 個(gè)字節(jié),,
從0可以寫,每次小于0.5秒的關(guān),開(kāi)機(jī),都寫一次新數(shù)據(jù).
寫到510 就擦除這個(gè)扇區(qū),然后再?gòu)?0 開(kāi)始寫.

ID:1133081 · 發(fā)表于 2024-10-23 06:10

P3M0 = 0x00; P3M1 = 0x00;配置是準(zhǔn)雙向高電平，P32 連接一個(gè)22uf電容,然后接地，在上電后短暫時(shí)間內(nèi)P32電壓由0逐漸上升到接近VCC。從一般意義講，端口電壓小于1/3VCC判斷為低電平，大于2/3VCC判斷為高電平。中間為不確定狀態(tài)（因芯片制造工藝不同，其電氣特性有差異，要以其用戶手冊(cè)為準(zhǔn)）。樓主以此方法取樣不妥。再者樓主在主循環(huán)中頻繁讀寫EEPROM也是忌諱。通常做法是設(shè)置一個(gè)變量，掉電時(shí)保存這個(gè)變量的數(shù)據(jù)在EEPROM中，再次上電初始化時(shí)讀取保存的數(shù)據(jù)賦值這個(gè)變量。

ID:143767 · 發(fā)表于 2024-10-23 10:05

上電瞬間是低電平，充滿電后是高電平，你正好理解反了

ID:1130333 · 發(fā)表于 2024-10-23 12:49

WL0123 發(fā)表于 2024-10-23 06:10
P3M0 = 0x00; P3M1 = 0x00;配置是準(zhǔn)雙向高電平，P32 連接一個(gè)22uf電容,然后接地，在上電后短暫時(shí)間內(nèi)P32電 ...

可以幫忙完善下嗎?

ID:1130333 · 發(fā)表于 2024-10-23 12:49

dj3365191 發(fā)表于 2024-10-23 10:05
上電瞬間是低電平，充滿電后是高電平，你正好理解反了

可以幫忙完善下代碼嗎?

ID:69038 · 發(fā)表于 2024-10-23 16:41

如果是“上電后 P32在 0.5秒后,充滿電應(yīng)該是屬于低電平”，充滿電后應(yīng)是高電平的才對(duì)吧？

ID:1130333 · 發(fā)表于 2024-10-24 10:19

關(guān)鍵是eeprom單字節(jié)寫入.
這個(gè)沒(méi)問(wèn)題

ID:1109793 · 發(fā)表于 2024-10-25 10:24

0.5秒關(guān)機(jī)再開(kāi)機(jī)，開(kāi)機(jī)后充電，此時(shí)單片機(jī)不一定能復(fù)位完成，關(guān)機(jī)后0.5秒，此時(shí)電容的電未必能放完。再開(kāi)機(jī)不一定能及時(shí)復(fù)位并開(kāi)始運(yùn)行你的代碼。搞不懂為啥要這么操作。

ID:624769 · 發(fā)表于 2024-10-25 20:54

你是那個(gè)要做手電筒的吧？你的思路是不是搞錯(cuò)了？
正確的思路應(yīng)該是：
給單片機(jī)提供足夠大的電容，確保單片機(jī)在 0.5S 內(nèi)不會(huì)被完全放電，當(dāng)單片機(jī)檢測(cè)到“斷電”這個(gè)信號(hào)之后，給標(biāo)志位F0置位1，然后設(shè)置 0.5秒的定時(shí)換醒后休眠。 0.5秒后休眠喚醒把F0清0繼續(xù)休眠。如果0.5秒內(nèi)被來(lái)電喚醒，因?yàn)闃?biāo)志F0 為1 則模式增加1，同時(shí)跟新 Eeprom. 如果 0.5秒后被喚新，或者，時(shí)間很長(zhǎng)徹底掉電了，重新上電，因?yàn)镕0都為0 則讀取Eeprom 數(shù)據(jù)，繼續(xù)使用，原來(lái)的模式。

ID:1133081 · 發(fā)表于 2024-10-26 06:30

vb2002 發(fā)表于 2024-10-23 12:49
可以幫忙完善下嗎?

首先要明確表明你的需求是什么，才能提供有效的解決方案。

ID:1130333 · 發(fā)表于 2024-10-29 23:36

188610329 發(fā)表于 2024-10-25 20:54
你是那個(gè)要做手電筒的吧？你的思路是不是搞錯(cuò)了？
正確的思路應(yīng)該是：
給單片機(jī)提供足夠大的電容，確保 ...

手電功能上已經(jīng)搞定了，
現(xiàn)在就是每次都是寫 1字節(jié)，然后擦除整個(gè)扇區(qū)，
覺(jué)得這樣太浪費(fèi)了，eeprom壽命怕頂不住多久，
想弄成每次讀一字節(jié)，寫一字節(jié)，寫完 512或者 1024，2048，再擦除扇區(qū)，再?gòu)念^開(kāi)始寫

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