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單片機產生PWM波后升壓？？

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樓主

ID:57495 發表于 2013-12-22 20:39 | 只看該作者 |只看大圖回帖獎勵

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如圖所示：因為單片機產生的PWM波電壓太低，難以驅動半導體制冷片（額定電壓12v，4A），所以設計以下電路，為了使Vi 15v降至Vout得到8v,10v 12v 。
問題1：單片機產生的PWM波可以直接接MOS管嗎,中間需要光電耦合器嗎?
問題2：圖中的M 開關管，是MOS管合適，還是IGBT合適？？

22222222222222222.jpg (16.95 KB, 下載次數: 132)

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沙發

ID:58634 發表于 2014-1-10 18:28 | 只看該作者

個人認為單片機產生的PWM波可以直接接MOS管，如果怕影響到單片機的穩定就加光電耦合器。開關管用MOS管或IGBT都行，看工作頻率和負載是什么。只是個人理解。

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板凳

ID:59048 發表于 2014-2-9 11:40 | 只看該作者

1.可以直接接MOS管，其實光耦不僅是起到隔離作用，還有就是后面的控制部分，比如電壓可以接的高些（12V或者更高些）。2.當然是MOS管速度快了。可控硅導通容易，但是不能自行關斷；IGBT常用于大功率設備，需要專門的驅動，所以速度也受影響。高速小功率建議用MOS管。

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地板

ID:118284 發表于 2016-5-13 08:35 | 只看該作者

加一個NPN三極管就可以

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5^#

ID:120465 發表于 2016-5-13 08:47 | 只看該作者

個人認為開關管使用MOS管比較合適

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6^#

ID:120521 發表于 2016-5-13 13:05 | 只看該作者

MOS管即可

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7^#

ID:120554 發表于 2016-5-13 16:06 | 只看該作者

mos管托托的

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