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傳統(tǒng)的低壓大電流的一代硅MOS相比有哪些優(yōu)缺點(diǎn)和異同點(diǎn)?

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1.封裝小,內(nèi)阻低,結(jié)溫高,熱阻小,結(jié)電容小、Id大,vth小的,這種傳統(tǒng)的低壓大電流的一代半導(dǎo)體硅MOS和三代半導(dǎo)體氮化鎵GAN相比有哪些優(yōu)缺點(diǎn)和異同點(diǎn)?(比如耐壓60V以上,封裝小,內(nèi)阻低,熱阻低、結(jié)電容小、結(jié)溫高,Id大,vth小的)

2.像這種低壓、大電流、小體積、小內(nèi)阻的MOS有哪些國產(chǎn)廠商在做?幫忙推薦幾個(gè)做得好的廠家

3.COOLMOS、氮化鎵GAN、碳化硅SiC、砷化鎵GaAS又和上面方框哪些有什么區(qū)別?
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