這種MOS封裝電流可以做到很大，但是封裝還不夠小.有沒有耐壓60V，封裝夠小的，越小...

ID:668004 · 發表于 2025-1-11 16:20

這種MOS封裝電流可以做到很大，但是封裝還不夠小.有沒有耐壓60V，封裝夠小的，越小越好（封裝小，內阻低，結溫高，熱阻小，結電容小、Id大，vth小的）有沒有推薦

ID:466250 · 發表于 2025-1-12 19:36

你需要多大的電流？體積大可以裝載更大的晶圓，如果使用小管子，只能多個管子并聯。

ID:668004 · 發表于 2025-1-13 17:18

藍藍小星星發表于 2025-1-12 19:36
你需要多大的電流？體積大可以裝載更大的晶圓，如果使用小管子，只能多個管子并聯。

持續電流30A

ID:565803 · 發表于 2025-1-14 08:48

這個MOS在VGS=-10V, ID=-15A時，導通電阻5.5mΩ，夠小了。30A電流，消耗功率4.95W。這種封裝，熱阻約50℃/W，也就是說，溫升約250W，肯定不行。如果VGS=-4.5V, ID=-10A，導通電阻最大到11.3mΩ，那么溫升可達到500多度。。。換成更小的體積，溫升只會更高。器件不是這么選的

ID:536683 · 發表于 2025-1-14 15:20

封裝越小，散熱越差，大電流還是用TO-220之類的封裝，加散熱器。

ID:668004 · 發表于 2025-1-14 20:33

liuzanshui 發表于 2025-1-14 08:48
這個MOS在VGS=-10V, ID=-15A時，導通電阻5.5mΩ，夠小了。30A電流，消耗功率4.95W。這種封裝，熱阻約50℃/W ...

你好那怎么選呢告訴一下方法

ID:565803 · 發表于 2025-1-15 09:19

QWE4562012 發表于 2025-1-14 20:33
你好那怎么選呢告訴一下方法

要看你的實際應用。考慮使用環境、散熱情況和器件自身，算出散熱面積，或者采用最直接的方法，直接試，用點溫計測量溫升。溫升+最高環境溫度不能超過結溫。如果超過了，就想辦法散熱或換器件

ID:879348 · 發表于 2025-1-15 10:28

PMOS的工藝決定了導通能力比NMOS弱，特別是高壓PMOS的內阻更差

ID:1079566 · 發表于 2025-1-15 11:45

持續30A, 你最好要用散熱器(鋁/銅).

你選的這種封裝,不容易加散熱器. 你可以用多片并聯的方式, 用5個并聯,每個就才1W左右的功耗.
你也可以選擇,容易加散熱的封裝如TO-220 TO-247
如: TO-247 不加散執器大約 40度/W 加散熱 0.5度/W

多個MOS并聯, 主要原因是二個方面,一個是解決散熱問題(溫度升高, 導通電阻增大),另一個才是電流原因.

ID:1143113 · 發表于 2025-1-16 16:54

大電流，小體積，到了一定的極限要求就像魚和熊掌不可兼得了。建議從設計方案一開始就要考慮PCB面積，器件體積和性能指標的匹配度。

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這種MOS封裝電流可以做到很大，但是封裝還不夠小.有沒有耐壓60V，封裝夠小的，越小...