NMOS應(yīng)用在高端，需要自舉電容疊加電壓才能打開(kāi)NMOS

ID:668004 · 發(fā)表于 2025-1-21 09:46

NMOS應(yīng)用在高端，需要自舉電容疊加電壓才能打開(kāi)NMOS

1.這里是不是有錯(cuò)誤啊？應(yīng)該是15V加電容電壓Vc_boot？

2.既然NMOS在高端需要自舉，為什么不直接用PMOS？用PMOS有哪些隱患和不好的地方

ID:888148 · 發(fā)表于 2025-1-21 11:49

PMOS貴而且性能不好.
比如你看看PMOS內(nèi)阻都不會(huì)很小

ID:1110945 · 發(fā)表于 2025-1-21 12:19

PMOS做不到那么大功率。高耐壓大電流的都是NMOS。

ID:1109793 · 發(fā)表于 2025-1-21 18:35

大多數(shù)都放假了吧。我也放假了，上管不用PMOS的原因好像是說(shuō)PMOS的高壓或者大電流的型號(hào)都不太好找。成本可能比較高吧

ID:688692 · 發(fā)表于 2025-2-16 13:07

對(duì)于高壓應(yīng)用，主控芯片輸出的電平也就還是那3V 5V的，一樣要想辦法提升電位才能正常控制PMOS，那既然這樣，就干脆用NMOS了。

ID:420836 · 發(fā)表于 2025-2-17 00:49

NMOS 晶體管在速度和導(dǎo)電性方面通常比 PMOS 具有顯著優(yōu)勢(shì)。此外，NMOS 晶體管的成本低于 PMOS。實(shí)際上，如果使用 PMOS 晶體管，則可能需要不同的電源電壓，包括正電壓和負(fù)電壓。在散熱方面，PMOS 的功率效率低于 NMOS。

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