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NMOS應用在高端,需要自舉電容疊加電壓才能打開NMOS

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ID:668004 發表于 2025-1-21 09:46 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
NMOS應用在高端,需要自舉電容疊加電壓才能打開NMOS

1.這里是不是有錯誤啊?應該是15V加電容電壓Vc_boot?

2.既然NMOS在高端需要自舉,為什么不直接用PMOS?用PMOS有哪些隱患和不好的地方
1.這里是不是有錯誤啊?.png
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ID:888148 發表于 2025-1-21 11:49 | 顯示全部樓層
PMOS貴而且性能不好.
比如你看看PMOS內阻都不會很小
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ID:1110945 發表于 2025-1-21 12:19 | 顯示全部樓層
PMOS做不到那么大功率。高耐壓大電流的都是NMOS。
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ID:1109793 發表于 2025-1-21 18:35 | 顯示全部樓層
大多數都放假了吧。我也放假了,上管不用PMOS的原因好像是說PMOS的高壓或者大電流的型號都不太好找。成本可能比較高吧
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ID:688692 發表于 2025-2-16 13:07 | 顯示全部樓層
對于高壓應用,主控芯片輸出的電平也就還是那3V 5V的,一樣要想辦法提升電位才能正常控制PMOS,那既然這樣,就干脆用NMOS了。
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ID:420836 發表于 2025-2-17 00:49 | 顯示全部樓層
NMOS 晶體管在速度和導電性方面通常比 PMOS 具有顯著優勢。此外,NMOS 晶體管的成本低于 PMOS。實際上,如果使用 PMOS 晶體管,則可能需要不同的電源電壓,包括正電壓和負電壓。在散熱方面,PMOS 的功率效率低于 NMOS。
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