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51單片機1T和12T有什么區(qū)別?

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ID:1143673 發(fā)表于 2025-2-27 10:53 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
請問51單片機1T和12T有什么區(qū)別?和晶振有什么關系嗎?什么情況需要考慮使用1T或12T?希望大家能夠不吝賜教。
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ID:619259 發(fā)表于 2025-2-28 08:28 | 顯示全部樓層
1.傳統(tǒng)12T模式:每個機器周期需要12個時鐘周期(12個晶振周期),如傳統(tǒng)的8051單片機。1T模式:每個機器周期僅需1個時鐘周期(1個晶振周期),常見于增強型51單片機(如STC系列)。理論上1T模式的指令執(zhí)行速度是12T模式的12倍。

2. 晶振頻率決定了時鐘周期的時長(\(T = 1/f_{osc}\))。
   若晶振為12MHz:
      12T模式:機器周期 = \(12 \times (1/12\text{MHz}) = 1\mu s\)。
      1T模式:機器周期 = \(1 \times (1/12\text{MHz}) ≈ 83.3\text{ns}\)。
     - 1T模式在相同晶振下運行速度顯著提升。

3.選擇1T模式的場景:
  高速需求:需要快速響應或高頻操作(如PWM生成、高速通信、實時控制)。
  低功耗優(yōu)化:在相同性能下,1T模式允許使用更低頻率的晶振,從而降低功耗。
  兼容高頻外設:例如驅(qū)動高刷新率顯示屏或高速ADC/DAC。
選擇12T模式的場景:
   傳統(tǒng)代碼兼容:需要直接移植舊版8051代碼(某些外設時序可能依賴12T模式)。
   低功耗場景:在不需要高速時,12T模式可通過降低主頻減少功耗。
   簡化定時器設計:部分舊項目可能依賴12T的定時器分頻特性(如產(chǎn)生標準波特率)。
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ID:1110945 發(fā)表于 2025-2-28 08:37 | 顯示全部樓層
這個和晶振無關,只是計數(shù)器的方式不同,比如12M的主頻,
1T模式每秒能計12*1000*1000個數(shù),適合微秒級的計數(shù)周期,
12T模式每秒能計1*1000*1000個數(shù),適合毫秒級的計數(shù)周期,
16位的定時器計數(shù)上限是65536,所以要根據(jù)實際情況做選擇。
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ID:796531 發(fā)表于 2025-2-28 08:44 | 顯示全部樓層

‌51單片機的1T和12T模式的主要區(qū)別在于時鐘周期和執(zhí)行速度。‌

‌時鐘周期和執(zhí)行速度‌:

‌1T模式‌:在這種模式下,每個時鐘周期執(zhí)行一個動作,因此執(zhí)行速度較快。例如,使用12M晶振的1T單片機,其指令周期為1/12微秒(us)‌
1
2

‌12T模式‌:在這種模式下,每12個時鐘周期執(zhí)行一個動作,因此執(zhí)行速度較慢。例如,使用12M晶振的12T單片機,其指令周期為12倍的1/12微秒,即1微秒(us)‌
1
2
。
‌應用場景‌:

‌1T模式‌:適用于需要高速執(zhí)行指令的場景,如實時控制系統(tǒng)、高速數(shù)據(jù)處理等。由于1T模式的執(zhí)行速度更快,適合對時間要求嚴格的系統(tǒng)。
‌12T模式‌:適用于對功耗和穩(wěn)定性要求較高的場景。由于12T模式的執(zhí)行速度較慢,可以減少功耗并提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
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ID:1121801 發(fā)表于 2025-2-28 08:52 | 顯示全部樓層
就是機器周期不一樣.
在使用相同的晶振的情況下,如12MHZ晶振,時鐘周期為1/12M S.
1T模式下,機器周期為1* 1/12M S.
12T模式下,機器周期為12* 1/12M S.
即12T模式的機器周期是1T模式的12倍.即1T模式程序運行速度比12T模式快12倍.
所以和晶振沒有必然的關系.
1T與12T,一個是高頻,一個是低頻.當要考慮功耗的情況下,想降低功耗就用12T模式,程序運行慢,功耗就低.
而且12T比1T程序運行的穩(wěn)定性要好,例如相同的程序,低頻模式下對于輸入的判斷,中斷的判斷都更好.
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ID:1068450 發(fā)表于 2025-2-28 11:09 | 顯示全部樓層
1T模式1機器周期就是1晶振周期 12T下是12晶振周期 1T速度更快但功耗也高
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ID:57657 發(fā)表于 2025-2-28 12:08 | 顯示全部樓層
定時器 1T可以時間更精確,12T定更長時間,12T就是12分頻的。
12T的定時時間初值計算有誤差就用1T的。

1T單片機比12T單片機執(zhí)行指令所需要的時鐘周期更少,1T單片機可以配置為12T定時器,反過來一般不支持。
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ID:155507 發(fā)表于 2025-2-28 13:29 | 顯示全部樓層
在 51 單片機 中,12T 架構和1T 架構的主要區(qū)別在于指令執(zhí)行所需的時鐘周期數(shù)。傳統(tǒng)的 51 單片機采用 12T 架構,即每條指令需要 12 個時鐘周期 才能完成。而現(xiàn)代改進型的 51 單片機(如 STC 系列)采用 1T 架構,每條指令只需 1 個時鐘周期 即可完成。

主要區(qū)別:

執(zhí)行速度: 1T 架構的單片機通過引入多級流水線結構,顯著減少了每條指令的時鐘周期數(shù),從而提高了指令執(zhí)行速度。在相同的晶振頻率下,1T 架構的單片機運行速度比 12T 架構快 12 倍。

內(nèi)部結構: 1T 架構采用了多級流水線技術,使得指令在執(zhí)行過程中可以重疊進行,從而縮短了指令執(zhí)行時間。而傳統(tǒng)的 12T 架構由于沒有采用流水線技術,指令執(zhí)行需要更多的時鐘周期。

與晶振的關系:

晶振(晶體振蕩器)為單片機提供基本的時鐘信號,其頻率決定了時鐘周期的長度。然而,單片機的指令執(zhí)行速度不僅取決于晶振頻率,還與其內(nèi)部架構(1T 或 12T)有關。因此,在相同晶振頻率下,1T 架構的單片機由于采用了多級流水線結構,運行速度明顯快于 12T 架構的單片機。

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ID:1144437 發(fā)表于 2025-2-28 18:03 | 顯示全部樓層
- 指令執(zhí)行周期:1T模式下,單片機每個機器周期只需1個時鐘周期,即執(zhí)行一條指令僅需1個晶振周期。而12T模式,每個機器周期需要12個時鐘周期,意味著執(zhí)行一條指令需要12個晶振周期。
- 執(zhí)行速度:在相同晶振頻率下,1T模式的指令執(zhí)行速度理論上是12T模式的12倍。例如使用12M晶振時,1T單片機指令周期為1/12μs,12T單片機指令周期為1μs。
- 定時器設置:1T單片機的定時器雖然執(zhí)行一般指令快12倍,但定時器通常先進行12分頻再計時,與12T單片機定時器計時原理本質(zhì)一致,但在計算定時器初值等方面會有差異。
- 1T模式適用場景:在需要快速響應的實時控制系統(tǒng),如工業(yè)自動化控制中的高速數(shù)據(jù)采集與處理場景;高頻操作需求,像產(chǎn)生高頻PWM信號控制電機轉(zhuǎn)速;需要低功耗優(yōu)化,可在滿足性能前提下用更低頻晶振;與高頻外設通信,如驅(qū)動高分辨率液晶顯示屏或高速ADC/DAC器件。
- 12T模式適用場景:對于大量基于傳統(tǒng)8051代碼的項目,為保證兼容性可采用12T模式;對速度要求不高,更注重穩(wěn)定性和低功耗的場景,如一些簡單的傳感器數(shù)據(jù)采集節(jié)點;部分舊項目依賴12T定時器分頻特性來產(chǎn)生標準波特率等特定時序。
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ID:517951 發(fā)表于 2025-3-2 10:03 | 顯示全部樓層
簡單一點說:用12M晶振的STC8051核單片機, 1T的模式下,就基本是12M速度跑滿,
12T模式,就是降頻到普通AT89C51內(nèi)核1Mhz執(zhí)行速度了, 就是為了降速匹配老款51單片機的時序, 這樣大量以前的程序不用再改寫,減少很多修改程序的工作量.
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ID:1073399 發(fā)表于 2025-3-2 14:56 | 顯示全部樓層
1T 模式 (不分頻) —— 1個系統(tǒng)基本時鐘,執(zhí)行一個動作; 12T模式(12分頻) —— 12個系統(tǒng)基本時鐘,執(zhí)行一個動作; 因此,12T模式和1T模式執(zhí)行相同次數(shù)的動作,12T模式需要12倍的時間, 即,兩個模式執(zhí)行一個動作需要的時間不同,12T模式需要更多的時間, 即,1T模式的工作速度比12T模式的工作速度快。
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