本帖最后由 codenew 于 2014-10-6 22:42 編輯
下面程序是我從別的地方搞來的，最后發現很多錯誤。為了避免誤人子弟，特地作了一下分析，開頭部分for分析是我寫的，程序中紅色的部分我是加上去的。
在軟件仿真環境下，把晶振改成12.0Mhz，C51標簽代碼優化設為0，見圖附件，測得for語句的延時為：
for(time=0;time<1;time++); //15us for(time=0;time<2;time++); //23us for(time=0;time<3;time++); //31us for(time=0;time<4;time++); //39us for(time=0;time<5;time++); //47us for(time=0;time<6;time++); //55us for(time=0;time<7;time++); //63us for(time=0;time<8;time++); //71us for(time=0;time<9;time++); //79us for(time=0;time<10;time++); //87us for(time=0;time<20;time++); //167us for(time=0;time<60ime++); //487us for(time=0;time<70ime++); //567us for(time=0;time<80ime++); //647us for(time=0;time<100;time++); //807us for(time=0;time<200;time++); //1607us 由上可看出，成等差數列，公差d=8。一般地，如果n>m，an=am+8*(n-m)。
/***************************************************** 函數功能：將DS18B20傳感器初始化，讀取應答信號 出口參數：flag ***************************************************/ bit Init_DS18B20(void) { bitflag; //儲存DS18B20是否存在的標志，flag=0，表示存在；flag=1，表示不存在 DQ= 1; //先將數據線拉高 for(time=0;time<2;time++);//略微延時約6微秒。實際是延時23us。 DQ= 0; //再將數據線從高拉低，要求保持480~960us for(time=0;time<200;time++);//略微延時約600微秒,以向DS18B20發出一持續480~960us的低電平復位脈沖。實際是延時1607us，重大錯誤，都超過960us了。 DQ= 1; //釋放數據線（將數據線拉高） for(time=0;time<10;time++);//延時約30us（釋放總線后需等待15~60us讓DS18B20輸出存在脈沖）。實際是延時87us，延時多過60us，反而能保證讀到存在脈沖，這點誤撞了。 flag=DQ; //讓單片機檢測是否輸出了存在脈沖（DQ=0表示存在） for(time=0;time<200;time++); //延時足夠長時間，等待存在脈沖輸出完畢 return(flag); //返回檢測成功標志 } /***************************************************** 函數功能：從DS18B20讀取一個字節數據 出口參數：dat ***************************************************/ unsigned char ReadOneChar(void) { unsignedchar i=0; unsignedchar dat; //儲存讀出的一個字節數據 for(i=0;i<8;i++) { DQ=1; //先將數據線拉高 _nop_(); //等待一個機器周期 DQ= 0; //單片機從DS18B20讀書據時,將數據線從高拉低即啟動讀時序 dat>>=1; _nop_(); //等待一個機器周期 DQ= 1; //將數據線"人為"拉高,為單片機檢測DS18B20的輸出電平作準備 for(time=0;time<2;time++);//延時約6us，使主機在15us內采樣。實際是延時23us，超過了15us。 if(DQ==1) dat|=0x80; //如果讀到的數據是1，則將1存入dat else dat|=0x00;/如果讀到的數據是0，則將0存入dat,將單片機檢測到的電平信號DQ、r for(time=0;time<8;time++);//延時3us,兩個讀時序之間必須有大于1us的恢復期。實際是延時71us。思路根本不對，讀時隙至少延時60us，這里又誤撞對了，把至少延時和讀時隙間隔至少1us都包含進了。 } return(dat); //返回讀出的十進制數據 } /***************************************************** 函數功能：向DS18B20寫入一個字節數據 入口參數：dat ***************************************************/ WriteOneChar(unsigned char dat) { unsignedchar i=0; for(i=0; i<8; i++) { DQ=1; // 先將數據線拉高 _nop_(); //等待一個機器周期 DQ=0; //將數據線從高拉低時即啟動寫時序 DQ=dat&0x01; //利用與運算取出要寫的某位二進制數據,并將其送到數據線上等待DS18B20采樣 for(time=0;time<10;time++);//延時約30us，DS18B20在拉低后的約15~60us期間從數據線上采樣。實際是延時87us。 DQ=1; //釋放數據線 for(time=0;time<1;time++);//延時3us,兩個寫時序間至少需要1us的恢復期 。實際是延時15us。 dat>>=1; //將dat中的各二進制位數據右移1位 } for(time=0;time<4;time++);//稍作延時,給硬件一點反應時間。延時39us。 } /***************************************************** 函數功能：做好讀溫度的準備 ***************************************************/ void ReadyReadTemp(void) { Init_DS18B20(); //將DS18B20初始化 WriteOneChar(0xCC); // 跳過讀序號列號的操作 WriteOneChar(0x44); // 啟動溫度轉換 for(time=0;time<100;time++);//溫度轉換需要一點時間。延時807us。 Init_DS18B20(); //將DS18B20初始化 WriteOneChar(0xCC);//跳過讀序號列號的操作 WriteOneChar(0xBE);//讀取溫度寄存器,前兩個分別是溫度的低位和高位 } /***************************************************** 函數功能：延時若干毫秒 入口參數：n ***************************************************/ voiddelaynms(unsigned char n) { unsigned char i; for(i=0;i<n;i++) delay1ms(); } 照理說void delaynms(unsigned char n)，參數n的取值范圍是0~255，因是是無符號數。但在主函數中卻調用delaynms(1000)，明顯錯誤，超出取值范圍。 | 
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看不懂呀，有完整程序啊
完整的有嗎？
