T2級和G間用萬用表測試，雙向阻值均為無窮大，T1和G之間雙向都有很小的電阻，用二極管檔測，雙向壓降都很少0.3V甚至更小0.03V.
記著一點就是T1和G之間存在電流通過，即可觸發可控硅的導通，屬于流控器件，下圖中模式2和模式4理論上可行，但實際應用估計會很少很少，原因在于需要兩組電源來供電，模式1和3只單組電源供電即可完成
應用分析1--（錯誤的應用）如下圖
當MCU輸出高電平時，可控硅的G極與T1間存在電流是必然的，所以它會導通，當MUC輸出低電平時，由二極管的橋堆形成的電源是無法向G極提供電流的，但是我們再來分析下：交流正半同，假設VCC為9V，即細化橋堆后C點電壓為9V，那么可得知如下
C=9V
D=9.7
A=0
B=-0.7
而可控硅G極電壓由Mcu輸出為低電平，即0V,所以T1和G間有壓降即BA間的電壓0.7V,這個電壓極有可能使可控硅導通，當然負半周的分析也極其相似，且BA間的電壓至少9.7V，更加會可靠導通，所以此應用無法關斷可控硅，非正確的應用
應用分析2---（正確的應用）
如下圖，設想MCU輸出高電壓，由7805構成的電源經G極流向T1到地，所以能可靠導通，當輸出低電平時，7805的地和T1是同極，所以不可能有電流通過。
接著再分析正半周時，G極和T1電位都為地，所以不存在電流。
負半周時，N的電壓為正，T1假設經流經G，但G的電流無法再經7805流到L上，另外由于下圖中豎著擺放的二極管導通，反向僅有0.7V的壓降，基本等于短路，沒有任何導通的理由。
所以下圖是正確的可控硅應用的電路.注意G極加適當電阻，來限流。
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