LM386中文資料電路圖及引腳封裝圖

ID:90014 · 發表于 2015-9-16 00:19

是專為低損耗電源所設計的功率放大器集成電路。它的內建增益為20，透過pin 1 和pin8腳位間電容的搭配，增益最高可達200。LM386可使用電池為供應電源，輸入電壓范圍可由4V~12V，無作動時僅消耗4mA電流，且失真低。LM386的內部電路圖及引腳排列圖如圖1、圖2所示，表1為其電氣特性。

圖1. 內部電路圖

圖2 引腳功能圖

極限參數：
電源電壓
（LM386N-1，-3，LM386M-1）15V
電源電壓（LM386N-4）22V
封裝耗散
（LM386N）1.25W
（LM386M）0.73W
（LM386MM-1）0.595W
輸入電壓±0.4V
儲存溫度-65℃至+150℃
操作溫度0℃至+70℃
結溫+150℃

焊接信息
焊接（10秒）260℃
小外形封裝（SOIC和MSOP）
氣相（60秒）215℃
紅外（15秒）220℃

熱電阻
qJC （DIP）37℃/W
qJA （DIP）107℃/W
qJC （SO封裝）35℃/W
qJA （SO封裝）172℃/W
qJA （MSOP封裝）210℃/W
qJC （MSOP封裝）56℃/W

表1. LM386電氣特性

Parameter 參數	測試條件	最小	典型	最大	單位
Operating Supply Voltage (VS) 操作電源電壓	-	-
LM386N-1,-3,LM386M-1,LM386MM-1		4	-	12	V
LM386N-4		5	-	18	V
Quiescent Current (IQ) 靜態電流	VS = 6V, VIN =0		4	8	mA
Output Power (POUT) 輸出功率	-	-
LM386N-1,LM386M-1,LM386MM-1	VS = 6V, RL =8W, THD = 10%	250	325	-	mW
LM386N-3	VS = 9V, RL =8W, THD = 10%	500	700	-	mW
LM386N-4	VS=16V, RL =32W, THD = 10%	700	1000	-	mW
Voltage Gain (AV) 電壓增益	VS = 6V, f = 1 kHz		26	-	dB
Voltage Gain (AV) 電壓增益	10 μF from Pin 1 to 8		46	-	dB
Bandwidth (BW) 寬帶	VS = 6V, Pins 1 and 8 Open		300	-	kHz
Total Harmonic Distortion (THD)總諧波失真	VS = 6V, RL =8W,POUT = 125 mW f = 1 kHz, Pins 1 and 8 Open	-	0.2	-	%
Power Supply Rejection Ratio (PSRR) 電源抑制比	VS=6V, f=1kHz, CBYPASS =10 μF Pins 1 and 8 Open,Referred to Output	-	50	-	dB
Input Resistance (RIN) 輸入電阻	-	-	50	-	kΩ
Input Bias Current (IBIAS) 輸入偏置電流	VS = 6V, Pins 2 and 3 Open	-	250	-	nA