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增強型、耗盡型MOS場效應(yīng)管

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ID:99624 發(fā)表于 2015-12-27 05:13 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式

根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指:當(dāng)VGS=0時管子是呈截止?fàn)顟B(tài),加
上正確的VGS后,多數(shù)載流子被吸引到柵極,從而―增強‖了該區(qū)域的載流子,形成導(dǎo)電溝道。

溝道增強型MOSFET基本上是一種左右對稱的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),它是在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2 薄膜絕緣層,然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的N型區(qū),從N型區(qū)引出電極,一個是漏極D,一個是源極S。在源極和漏極之間的
絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。  

當(dāng)VGS=0 V時,漏源之間相當(dāng)兩個背靠背的二極管,在D、S之間加上電壓不會在D、S間形成電流。  當(dāng)柵極加有電壓時,若0<VGS<VGS(th)時,通過柵極和襯底間形成的電容電場作用,將靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體中的多子空穴向下方排斥,出現(xiàn)了一薄層負(fù)離子的耗盡層;同時將吸引其中的少子向表層運動,但數(shù)量有限,
不足以形成導(dǎo)電溝道,將漏極和源極溝通,所以仍然不足以形成漏極電流ID。  
進一步增加VGS,當(dāng)VGS>VGS(th)時( VGS(th)稱為開啟電壓),由于此時的柵極電壓已經(jīng)比較強,在靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體表層中聚集較多的電子,可以形成溝道,將漏極和源極溝通。如果此時加有漏源電壓,就可以形成漏極電流ID。在柵極下方形成的導(dǎo)電溝道中的電子,因與P型半導(dǎo)體的載流子空穴極性相反,故稱為反型層。

隨著
隨著VGS的繼續(xù)增加,ID將不斷增加。在VGS=0V時ID=0,只有當(dāng)VGS>VGS(th)后才會出現(xiàn)漏極電流,所
以,這種MOS管稱為增強型MOS管。  
VGS對漏極電流的控制關(guān)系可用iD=f(VGS(th))|VDS=const這一曲線描述,稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。  
轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率gm的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。 gm的量綱為mA/V,所以gm也
稱為跨導(dǎo)。跨導(dǎo)。
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