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MSP430F149內(nèi)部的memory結(jié)構(gòu)，60K Flash+2KRAM。Flash分為主存儲區(qū)和信息存儲區(qū)，操作都一樣，只是主存儲區(qū)每個(gè)段512字節(jié)，而信息存儲區(qū)為128字節(jié)，方便擦寫。
當(dāng)我們有數(shù)據(jù)要保存到Flash存儲器時(shí)，要先對目標(biāo)段進(jìn)行整段擦除操作，擦除操作使的對應(yīng)段FLASH存儲器變成全“1”。應(yīng)當(dāng)注意的是，此flash的操作頻率為257kHz 到 476kHz，時(shí)鐘源可選擇，因此我們做時(shí)鐘分頻時(shí)應(yīng)當(dāng)保證頻率在這之間，以下為我編寫的參考程序。
void Flash_erase(uint addr)
{//段擦除,512bytes一段
uchar s;
s=__get_interrupt_state();//保存當(dāng)前中斷狀態(tài)
__disable_interrupt();
while(FCTL3&BUSY);
FCTL3=FWKEY;
FCTL1=FWKEY+ERASE;
*(uchar*)addr=0;
while(FCTL3&BUSY);
FCTL3=FWKEY+LOCK;
__set_interrupt_state(s);//恢復(fù)中斷狀態(tài)
}
void Flash_write(uint addr,uchar dat)
{//單字節(jié)寫入
uchar s;
s=__get_interrupt_state();
__disable_interrupt();
while(FCTL3&BUSY);
FCTL3=FWKEY;
FCTL1=FWKEY+WRT;
*(uchar*)addr=dat;
while(FCTL3&BUSY);
FCTL1=FWKEY;
FCTL3=FWKEY+LOCK;
__set_interrupt_state(s);
}
void Flash_read(uint addr,uint len)
{//讀取到數(shù)組，此處堆棧應(yīng)改大
uint i;
for(i=0;i<len;i++)
*(R+i)=*(uchar*)(addr+i);
}
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