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讀SRAM時序約束分析

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ID:105323 發(fā)表于 2016-2-23 03:28 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
讀SRAM時序約束分析      SRAM使用的是ISSI的61LV5128,8位寬,19條地址線。FPGA內(nèi)部有一個地址產(chǎn)生計數(shù)單元,因此數(shù)據(jù)讀操作時輸出管腳的時序起點就是這些地址產(chǎn)生單元。因為希望快速讀SRAM,所以狀態(tài)機代碼讀SRAM是第一個時鐘周期送地址(SRAM的OE#信號始終接地),第二個時鐘周期讀數(shù)據(jù)。系統(tǒng)時鐘使用的是50MHz(20ns),SRAM的標稱讀寫速度可以達到8ns。感覺上20ns操作一個8ns的SRAM似乎很可行。
  
  
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    上面SRAM的讀時序中,tRC=8ns,也就是說地址穩(wěn)定后最多等待8ns數(shù)據(jù)總線上的數(shù)據(jù)是有效的(上面的說明只是相對于SRAM管腳而言,不考慮其它條件)。那么在地址穩(wěn)定后的0—8ns之間的數(shù)據(jù)可能是有效的也可能是無效的我們無從得知(也許不到8ns數(shù)據(jù)就已經(jīng)有效了,可以說8ns是一個很保守的讀取時間),但是8ns以后一直到數(shù)據(jù)地址發(fā)生變化的tOHA時間內(nèi)的數(shù)據(jù)一定是穩(wěn)定的。
    上面羅嗦了一大堆,下面步入正題。我們要計算FPGA和SRAM的數(shù)據(jù)總線接口上的input delay值,按照公式:Input max/min delay = 外部器件的max/min Tco + 數(shù)據(jù)的PCB延時 – PCB時鐘偏斜。
    我們先計算一下地址總線最終穩(wěn)定在SRAM輸入管腳的時間,應該是FPGA內(nèi)部時鐘的launch edge開始到FPGA輸出管腳的延時加上地址總線在PCB上從FPGA管腳到SRAM管腳的延時。前者的值為5.546ns—9.315ns(由FPGA時序分析得到,不包括launch edge 的clock network delay),后者的值為0.081ns—0.270ns(由PCB走線長度換算得到)。那么地址總線最終穩(wěn)定在SRAM輸入管腳的時間max=9.585ns,min=5.627ns。
    其次,我們可以從SRAM的datasheet查到(也就是上面的時序圖的tRC)地址穩(wěn)定后Tco=8ns數(shù)據(jù)穩(wěn)定在SRAM數(shù)據(jù)總線的輸出管腳上。數(shù)據(jù)總線從SRAM管腳到達FPGA輸入管腳的PCB延時為0.085ns—0.220ns。
    從上面的一堆數(shù)據(jù)里,我們需要理出一條思路。首先需要對這個時序進行建模,和FPGA內(nèi)部的寄存器到寄存器的路徑和類似,這個時序模型也是從FPGA內(nèi)部寄存器(輸出管腳)到FPGA內(nèi)部寄存器(輸入管腳),不同的是這個寄存器到寄存器間的路徑不僅在FPGA內(nèi)部,而是先從寄存器的輸出端到FPGA的輸出管腳,再從PCB走線到外部器件SRAM的輸入管腳,然后經(jīng)過了SRAM內(nèi)部的Tco時間后,又從SRAM的輸出管腳經(jīng)PCB走線達到FPGA的輸入管腳,這個輸入管腳還需要有一些邏輯走線后才達到FPGA內(nèi)部寄存器的輸入端。整個模型就是這樣,下面看這個輸入管腳的Input delay如何取值。大體的這個路徑如下圖,也可以簡單的把兩個寄存器之間的路徑理解為FPGA內(nèi)部的一個大的組合邏輯路徑。
  
    根據(jù)Input delay的定義,加上我們這個模型的特殊性,我個人認為input delay的路徑應該是從CLK的launch edge開始一直到FPGA的DATA總線的輸入端口。那么所有的路徑延時值在前面都給出了。最后計算得到input max delay = 17.765,input min delay = 13.731。
    無疑,上面得出的input delay參數(shù)都有些偏高了(由于該工程使用器件為Altera MAX ii EPM570,內(nèi)部資源有限速度也無法做得太高,加之工程的其它控制模塊也相對有些復雜,所以這對于該工程在20ns內(nèi)操作8ns的SRAM帶來了一定的挑戰(zhàn)。),下面進行時序分析即建立時間和保持時間余量的計算。
    Data Arrival Time = Launch Edge + Clock Network Delay + Input Maximum Delay of Pin + Pin-to-Register Delay = 0+3.681ns+17.765ns+ Pin-to-Register Delay = 21.446ns + Pin-to-Register Delay
    Data Required Time = Latch Edge + Clock Network Delay to Destination Register - utSU = 20ns + 3.681ns – 0.333ns = 22.348ns
    Clock Setup Slack = Time Data Required - Time Data Arrival Time = 22.348ns– (21.446ns + Pin-to-Register Delay) = 0.902ns - Pin-to-Register Delay
    若滿足時序要求,則:0.902ns - Pin-to-Register Delay > 0 即Pin-to-Register Delay < 0.902ns
    Data Arrival Time = Launch Edge + Clock Network Delay +Input Minimum Delay of Pin Pin-to-Register Delay = 0+3.681ns+13.731ns+ Pin-to-Register Delay = 17.412ns+ Pin-to-Register Delay
    Data Required Time = Latch Edge + Clock Network Delay to Destination Register + utH = 0+3.681ns+0.221ns = 3.901ns
    Clock Hold Slack = Time Data Arrival - Time Data Required Time = 17.412ns+ Pin-to-Register Delay – 3.901ns = 13.511ns + Pin-to-Register Delay
    若滿足時序要求,則:13.511ns + Pin-to-Register Delay > 0
    Pin-to-Register Delay 時間從時序報告里得出在4.711ns—6.105ns范圍內(nèi)。那么建立時間余量顯然不滿足,建立時間時序違規(guī)。而保持時間則不會違規(guī)。
    雖然這個工程如此這般分析下來,似乎在這個工程條件下用50MHz的速率來讀存取時間為8ns的SRAM是不可行的。但是在我初步調(diào)試這個工程的時候,沒有進行時序約束和時序分析的情況下就進行了板級調(diào)試,而且調(diào)試的最終結(jié)果是正確的,讀寫SRAM的操作好像沒有出現(xiàn)預想之外的問題。這讓我很是納悶,為什么理論上進行靜態(tài)時序分析不可行的時序最后卻通過了板級調(diào)試了呢?思考了很久,歸納了以下幾種可能性:
    1,首先不排除上文里時序分析的方法有誤,很期待各位高手指點;
    2,時序分析的有些太苛刻了,可能有些地方都是想到了最壞的情況(當然這是必要的,有些時序違規(guī)不是一天兩天能出現(xiàn)的,甚至聽說過恩年出現(xiàn)一次的問題,這是最讓人郁悶的事,記得我們部門里的機器在實驗過程中出現(xiàn)了一點問題立刻大群人馬圍坐分析,畢竟我們搞的都是~~不是一般的馬虎不得的東西呵呵);
    3,有些違規(guī)最嚴重的路徑可能是地址的高位,因為我們操作的時候都是遞增地址讀數(shù)據(jù)的,高位地址變化周期長,它的時序違規(guī)表現(xiàn)的不是那么明顯;
    4,還真有那么一次,發(fā)現(xiàn)一個從SRAM讀出的很小塊的顯示圖片區(qū)錯誤了,不排除是讀時序問題造成的;
    5,SRAM標稱的8ns是最大的等待時間,或許和開篇提到的一樣,SRAM實際上數(shù)據(jù)有效等待時間不需要那么長,也就是上面分析中外部器件的Tco減小了。
    這是我能想到的可能的情況,也許還有別的問題,也期待各位提出自己的一些看法。


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