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高精度實時時鐘-SD2000 RAM系列資料

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ID:105323 發(fā)表于 2016-3-4 01:00 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
SD2000RAM系列(含SD2000A/SD2001A/SD2002A)是一種具有內(nèi)置晶振、支持I2C總線接口的高精度實時時鐘芯片。該系列芯片可保證時鐘精度為±4ppm(在25±1℃下),即年誤差小于2分鐘;該芯片可內(nèi)置電池、串行NVSRAM,其中內(nèi)置一次性電池可保證在外部掉電情況下時鐘使用壽命超過五年,內(nèi)置充電電池在一次充滿情況下可保證內(nèi)部時鐘走時時間超過一年以上(可滿充200次);內(nèi)置串行NVSRAM為非易失性SRAM,擦寫次數(shù)可達(dá)100億次。該系列芯片可滿足對實時時鐘芯片的各種需要,有工業(yè)級產(chǎn)品可供選擇,是在選用高精度實時時鐘時的理想選擇。
n      主要性能特點(diǎn):
l         低功耗:典型值1.0μA(VDD=3.5V)。
l         工作電壓:3.0~5.5V(其中NVSRAM在4.5~5.5V工作),工作溫度:民用級0℃~70℃,工業(yè)級-40℃~85℃。
l         年、月、日、星期、時、分、秒的BCD碼輸入/輸出。
l         自動日歷到2099年(包括閏年自動換算功能)。
l         可設(shè)定的兩路鬧鐘(定時)及32768Hz~1Hz的方波信號輸出。
l         內(nèi)置穩(wěn)壓電路及電源掉電檢測電路。
l         內(nèi)置電源管理電路,當(dāng)VDD≥3.0V時,內(nèi)部電池不耗電。
l         內(nèi)置充電電路(SD2001系列),總電量超過1.6Ah,保證時鐘使用壽命超過10年或更長時間。
l         內(nèi)置4kbit~256kbit的非易失性SRAM(B/C/D/E型),其擦寫次數(shù)100億次,且沒有內(nèi)部寫延時。
l         內(nèi)置晶振,出廠前已對時鐘進(jìn)行校準(zhǔn),保證精度±4ppm,即時鐘年誤差小于2分鐘(在25±1℃下)。
l         小體積封裝形式SD2002系列可供選擇:八腳單列封裝(內(nèi)部不帶電池)。
n      型號列表
表1SD2000RAM系列選型表
標(biāo)準(zhǔn)型
SD2000系列
充電型
SD2001系列
無電池型
SD2002系列
內(nèi)置串行
NVSRAM容量
SD2000A
SD2001A
SD2002A
0
SD2000B
SD2001B
SD2002B
4Kbit
SD2000C
SD2001C
SD2002C
16Kbit
SD2000D
SD2001D
SD2002D
64Kbit
SD2000E
SD2001E
SD2002E
256Kbit
l         內(nèi)置一次性電池,在外部掉電情況下內(nèi)部時鐘走時時間為5-10年。
l         24腳DIP封裝形式
l         
l         內(nèi)置充電電路和充電電池,充滿一次可保持內(nèi)部時鐘走時時間超過一年以上,可滿充電次數(shù)達(dá)200次。
l         24腳DIP封裝形式
l         無內(nèi)置電池。
l         八腳單列封裝形式
l         體積小:23×7×12mm3。


注:各型號均有工業(yè)級,其尾綴加“I”以示區(qū)分,如“SD2000API”為SD2000A的工業(yè)級,“P”標(biāo)志為直插封裝形式。
n      管腳設(shè)置


1SD2000系列管腳圖
2 SD2000系列管腳功能表

標(biāo)號
功能
特征
VBAT
外加備用電池引腳
針對SD2000系列,由于在模塊內(nèi)部有電池,故在其電池能量未耗盡之前不接
TEST
測試
內(nèi)部電池電壓檢測腳(通常不接)
ON/OFF
打開/關(guān)閉SRAM,此管腳在接高電平為關(guān)閉SRAM,接低電平時打開SRAM
此功能腳主要用來降低芯片整體功耗
SCL
串行時鐘輸入腳,由于在SCL上升/下降沿處理信號,要特別注意SCL信號的上升/下降升降時間,應(yīng)嚴(yán)格遵守說明書。
CMOS輸入(與VDD間無保護(hù)二極管
SDA
串行數(shù)據(jù)輸入/輸出腳,此管腳通常用一電阻上拉至VDD,并與其它漏極開路或集電器開路輸出的器件通過線與方式連接.
N溝道開路輸出(與VDD間無保護(hù)二極管)CMOS輸入
SDAE
SRAM串行數(shù)據(jù)輸入/輸出腳,此管腳通常用一電阻上拉至VDD,通過線與方式與其它在I2C總線上的器件連接。
N溝道開路輸出
SCLE
SRAM串行數(shù)據(jù)時鐘腳。數(shù)據(jù)在此管腳的上升沿/下降沿按時序輸入/輸出。
CMOS輸入
SDA/SDAE
實時時鐘與串行SRAM的串行數(shù)據(jù)輸入/輸出腳,此管腳通常用一電阻上拉至VDD,通過線與方式與其它在I2C總線上的器件連接。
此管腳通過CPU所發(fā)送的指令來區(qū)別其功能(僅SD2002系列具有)。
SCL/SCLE
實時時鐘與串行SRAM的串行數(shù)據(jù)時鐘腳,數(shù)據(jù)在此管腳的上升沿/下降沿按時序輸入/輸出。
此管腳通過CPU所發(fā)送的指令來區(qū)別其功能(僅SD2002系列具有)。
INT1
報警中斷1輸出腳,根據(jù)中斷寄存器與狀態(tài)寄存器來設(shè)置其工作的模式,當(dāng)定時時間到達(dá)時輸出低電平或時鐘信號。它可通過重寫狀態(tài)寄存器來禁止
N-溝道開路輸出(與VDD端之間無保護(hù)二極管)
INT2
報警中斷2輸出腳,根據(jù)中斷寄存器與狀態(tài)寄存器來設(shè)置其工作的模式,當(dāng)定時時間到達(dá)時輸出低電平或時鐘信號。它可通過重寫狀態(tài)寄存器來禁止
N-溝道開路輸出(與VDD端之間無保護(hù)二極管
VDD
正電源

VOUT
3.3V穩(wěn)壓輸出腳,當(dāng)VDD3.4V時有效
可供電流≤30mA,電壓精度3.3V±2.
GND
負(fù)電源(GND



注:以上各圖中SDA,INT1,INT2對VDD上拉電阻均未標(biāo)出,實際應(yīng)用中要加上。
n      實時時鐘電路(適用于SD2000全系列)
1.串行接口
SD2000系列的實時時鐘部分通過基于I2C總線的串行接口方式去接收各種命令并讀寫數(shù)據(jù)。基于I2C總線傳輸方式描述如下:
(1)開始條件
當(dāng)SCL處于高電平時,SDA由高電平變成低電平時構(gòu)成一個開始條件,對SD2000的實時時鐘部分的所有操作均必須由開始條件開始。
(2)停止條件
當(dāng)SCL處于高電平,SDA由低電平變成高電平構(gòu)成一個停止條件,此條件發(fā)生時對SD2000的實時時鐘部分的所有操作均停止。


3 實時時鐘部分串行接口
(3)數(shù)據(jù)傳輸
              當(dāng)SCL為低電平,且SDA線電平變化時,則數(shù)據(jù)由CPU傳輸給SD2000;當(dāng)SCL為高電平,且SDA電平變化時,SD2000收到一個開始或停止條件。

4 實時時鐘數(shù)據(jù)傳輸時序
(4) 確認(rèn)
數(shù)據(jù)傳輸以8位序列進(jìn)行。SD2000在第九個時鐘周期時將SDA置位為低電平,即送出一個確認(rèn)信號(Acknowledgebit,以下簡稱“ACK”),表明數(shù)據(jù)已經(jīng)被其收到。

圖5 實時時鐘確認(rèn)信號
2. 操作指令:當(dāng)CPU發(fā)出開始條件與實時時鐘部分建立連接后,CPU通過SDA總線連續(xù)輸出4位器件地址,3位操作指令和1位讀/寫指令。
(1)        器件代碼:
其中高四位稱“器件代碼”,它代表實時時鐘部分的器件地址,固定為“0110”。
3 實時時鐘器件代碼

(2)由三位操作指令共構(gòu)成對實時時鐘部分操作的八條指令:
表4實時時鐘指令表
C2
C1
C0
操作
ACK數(shù)目
0
0
0
復(fù)位(00(年),01(月),01(天),0(星期)00(分),00(秒)(*1
1
0
0
1
狀態(tài)寄存器存取
2
0
1
0
實時數(shù)據(jù)讀寫方式1(從年數(shù)據(jù)開始)
8
0
1
1
實時數(shù)據(jù)讀寫方式2(從小時數(shù)據(jù)開始)
4
1
0
0
報警中斷/頻率設(shè)置1INT1腳)
3
1
0
1
報警中斷/頻率設(shè)置2INT2腳)
3
1
1
0
測試模式開始(*2
1
1
1
1
測試模式結(jié)束(*2
1
注意:(*1)使用該命令時,可以不管R/W位的值。
            (*2)這是一條供IC測試的特殊用途指令,一般不用。
(3)一位讀/寫指令R/W指明對實時時鐘部分進(jìn)行何種操作(讀或?qū)?。
5 實時時鐘操作模式
操作
器件代碼
操作指令
R/W
0110
如指令表
1
0110
如指令表
0
3.      寄存器
實時時鐘部分共包括四個寄存器:實時數(shù)據(jù)寄存器,狀態(tài)寄存器,兩組報警時間/頻率設(shè)置寄存器。
(1) 實時數(shù)據(jù)寄存器
實時數(shù)據(jù)寄存器是一個56位的存儲器,它以BCD碼方式存貯,包括年、月、日、星期、時、分、秒的數(shù)據(jù)。實時數(shù)據(jù)的讀/寫操作都通過發(fā)送或接收年(實時數(shù)據(jù)讀寫方式1)或小時(實時數(shù)據(jù)讀寫方式2)數(shù)據(jù)的第一位“LSB”開始執(zhí)行的。
年數(shù)據(jù)(00~99):設(shè)置最后兩位數(shù)字(00~99),通過自動日歷功能計至2099年。
月數(shù)據(jù)(01~12)每月包含天數(shù)通過自動日歷功能來更改。
1,3,5,7,8,10,12:1~31
4,6,9,11: 1~30
2(閏年):1~29
2(普通):1~28
日數(shù)據(jù)(01~31)
星期數(shù)據(jù)(00~06):七進(jìn)制計數(shù)器, 00對應(yīng)星期天,01對應(yīng)星期一,依次類推.
小時數(shù)據(jù)(00~23或00~11)  12小時進(jìn)制0:AM,1:PM         對于24小時進(jìn)制,這一位沒有意義但芯片內(nèi)部必須將其設(shè)置為“0”或”1”
分?jǐn)?shù)據(jù)(00~59)
秒數(shù)據(jù)(00~59)與測試標(biāo)志
TEST位:在測試模式變?yōu)椤?”
圖6 實時時鐘實時數(shù)據(jù)寄存器
特別注意:24小時制式下,讀取實時數(shù)據(jù)時一定要屏蔽小時的最高位(MSB)0.
(1)        狀態(tài)寄存器
狀態(tài)寄存器是一個8位寄存器,它允許你用來顯示和設(shè)置不同的模式,其中“Power”是只讀位,其它均可讀/寫。



B7  Power在上電時或在電源電壓改變時(小于VDET),電源電壓檢測電路工作,此位置為”1”。該位一旦置為“1”,即使電源電壓達(dá)到或超過檢測電壓,此位也不會變?yōu)椤?”,而必須通過操作指令中的復(fù)位命令才能使之復(fù)“0”。本標(biāo)志位為只讀位。
B6  12/24:本標(biāo)志用于設(shè)置12小時制或24小時制:
0:(12小時制);
1:(24小時制)
B5  INT1AE;B4  INT2AE:此位用于設(shè)置從INT1腳(或INT2腳)輸出的報警中斷的狀態(tài)。通過INT1(INT2)寄存器來設(shè)置報警時間。
0:報警中斷輸出禁止;
1:報警中斷輸出允許。
B3  INT1ME;B2  INT2ME:此位用于設(shè)置從INT1腳(或INT2腳)的輸出為每分鐘邊沿中斷或每分鐘固定中斷。如設(shè)為每分鐘固定中斷輸出,需將INT1ME和INT1FE(或INT2ME和INT2FE)均置為1。
0:報警中斷或可選頻率的固定中斷輸出;
1:每分鐘邊沿中斷或每分鐘固定中斷輸出
B1 INT1FE;B0 INT2FE:此位用于設(shè)定INT1腳(或INT2腳)的輸出為每分鐘固定中斷(周期一分鐘,占空比50%)或可選頻率的固定中斷。如果可選頻率的固定中斷輸出被允許時,INT1寄存器(或INT2寄存器)是用來存放頻率數(shù)據(jù)的寄存器。
0:報警中斷或每分鐘邊沿中斷輸出;
1:每分鐘固定中斷輸出或可選頻率的固定中斷輸出
(3)兩組報警時間/可選頻率設(shè)置寄存器
有兩組16位報警時間/可選頻率設(shè)置寄存器,用于設(shè)置報警時間或可選頻率,它們由INTxAE與INTxFE控制。其中寄存器上的AM/PM標(biāo)志位必須同12小時制或24小時制相對應(yīng),否則設(shè)定的小時數(shù)將與報警數(shù)據(jù)不匹配。該寄存器為只寫寄存器
A.     INTxAE=1時,
INT1和INT2寄存器用來存放報警時間數(shù)據(jù),其格式用BCD碼代表小時與分鐘,與實時數(shù)據(jù)寄存器中的小時和分鐘寄存器設(shè)置相同。同樣,數(shù)據(jù)設(shè)置必須與在狀態(tài)寄存器中的12小時制或24小時制一致,不要設(shè)置任何不存在的時間。



(4)測試標(biāo)志位
測試標(biāo)志位是一個一位長的寄存器,它分配在實時數(shù)據(jù)寄存器中秒數(shù)據(jù)的MSB位。如果收到測試模式開始命令,則該位被置為”1”。當(dāng)該位為”1”時,你必須送入測試模式結(jié)束命令或復(fù)位命令才可清此位為”0”。
4.初始狀態(tài):
(1)    在出廠時
在出廠之前,對SD2000已做了時間和狀態(tài)寄存器設(shè)置(沒有內(nèi)置電池的型號如SD2002除外):時間為北京標(biāo)準(zhǔn)時間,狀態(tài)寄存器值為“00h”、INT1和INT2寄存器的值均為“0000h”,即狀態(tài)寄存器的第7位(電源標(biāo)志位)為”0”,且禁止INT1腳和INT2腳輸出信號。
實時寄存器:當(dāng)前的北京時間,xx(年),xx(月),xx(日),x(星期),xx(時),xx(分),x(秒)
狀態(tài)寄存器:“00h”,INT1寄存器:“0000h”,INT2寄存器:“0000h”
(2)    沒有內(nèi)置電池的型號(SD2002)在上電時
   SD2002在上電時,狀態(tài)寄存器值為“82h”、INT1寄存器的值為“8000h”,即狀態(tài)寄存器的第7位(電源標(biāo)志位)為1,INT1腳輸出1HZ的時鐘信號。
實時寄存器:00(年),01(月),01(日),0(星期),00(時),00(分),00(秒)
狀態(tài)寄存器:“82h”,INT1寄存器:“8000h”,INT2寄存器:“0000h”
     SD2002上電后, 通常要發(fā)復(fù)位命令給SD2002來清電源標(biāo)志位(參見本節(jié)第4).
(3)    在內(nèi)部電池欠壓時
    在內(nèi)部電池電壓欠壓時,實時時鐘中的電源電壓檢測電路工作并將內(nèi)部狀態(tài)寄存器的第7位(電源標(biāo)志位)置為”1”,此種情況一般需要SD2000出廠五年至十年時間才會出現(xiàn)。當(dāng)狀態(tài)寄存器的第7位置為”1”后,即使電源電壓達(dá)到或超過檢測電壓時,該值也一直保持不變。這說明內(nèi)部電池已不能保存時間數(shù)據(jù),需要更換芯片SD2000或從SD2000的VBAT腳加3V電池繼續(xù)使用。
(4)    收到復(fù)位命令時
   當(dāng)接收到復(fù)位命令時,各寄存器將變?yōu)槿缦轮担?/div>
實時數(shù)據(jù)寄存器:00(年),01(月),01(天),0(星期),00(時),00(分),00(秒)
圖11 實時時鐘初始化
5.      讀/寫數(shù)據(jù)
(1)讀數(shù)據(jù)
當(dāng)檢驗到開始條件后,實時時鐘接收器件代碼和命令。當(dāng)讀/寫位為”1”時,此時進(jìn)入實時時鐘讀取模式或狀態(tài)寄存器讀取模式。無論上述哪一種方式,數(shù)據(jù)均是從LSB依次輸出。
                                                   i.             讀取實時時鐘數(shù)據(jù)1
(2) 寫數(shù)據(jù)
當(dāng)檢測到開始條件后,實時時鐘開始接收器件代碼和命令。當(dāng)讀/寫位為“0”時,此時進(jìn)入實時時鐘數(shù)據(jù)寫模式或狀態(tài)寄存器寫模式,數(shù)據(jù)必須按順序從LSB位開始依次輸入。在實時時鐘數(shù)據(jù)寫入時,如有ACK信號緊跟著實時時鐘數(shù)據(jù)寫命令,則日歷和時間計數(shù)器將被復(fù)位,并將停止內(nèi)部時間累加操作。繼續(xù)接收完分鐘數(shù)據(jù)及秒數(shù)據(jù),此時月末數(shù)據(jù)將被修正。當(dāng)SD2000接收完秒數(shù)據(jù)同時發(fā)出ACK信號給CPU,從此新的計時開始。
                                                    i.             實時數(shù)據(jù)寫入1
(3)不存在的數(shù)據(jù)與月份末數(shù)據(jù)的處理:
當(dāng)寫入實時時鐘數(shù)據(jù)時,SD2000確認(rèn)它并處理那些無效數(shù)據(jù)且做月末校正:
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