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按常規(guī)，在51端口（P1、P2、P3）某位用作輸入時，必須先向對應的鎖存器寫入1，使FET截止。一般情況是這樣，也有例外。所謂IO口內(nèi)部與電源相連的上拉電阻而非一常規(guī)線性電阻，實質(zhì)上，該電阻是由兩個場效應管并聯(lián)在一起：一個FET為負載管，其阻值固定；另一個FET可工作在導通或截止兩種狀態(tài)（姑且叫可變FET）。使其總電阻值變化近似為0或阻值較大（20千歐--40千歐）兩種情況。當和端口鎖存器相連的FET由導通至截止時，該阻值近似為0，可將引腳快速上拉至高電平；當和鎖存器相連的FET由截止至導通時，該電阻呈現(xiàn)較大阻值，限制了和端口鎖存器相連的FET的導通電流。 51I/O口作為輸入端和外部信號相連有時必須考慮上述特性，本人在設計LTP1245熱敏打印頭驅動板時，資料上推介熱敏頭“抬頭”和“紙盡”信號由頭中內(nèi)嵌檢測電路提供，MCU IO口采集該信號時需加緩沖（如74HC04）。當時本人認為51IO口上拉電阻為一較大阻值的固定電阻，對 輸入信號無影響，故未加緩沖電路（為降低成本能省則省）。可到調(diào)試PCBA時發(fā)現(xiàn)，“抬頭”、“紙盡”狀態(tài)變化時，采集信號只在3.90V--5.10V之間變化,應為低電平時無低電平輸出。究其原因，打印頭的“抬頭”、“缺紙”信號輸出為一光敏三極管的集電極輸出，集電極和電源間原有一個負載電阻，飽和導通設計工作電流僅為450--1100微安，當該集電極直接和MCU IO口某位相連時，IO口上拉電阻和光敏三極管負載電阻并聯(lián)，當IO口上拉時，上拉電阻極小致使光敏三極管直流負載線斜率陡然增大，工作狀態(tài)進入放大區(qū)而非希望的飽和區(qū)。當時在不改硬件的條件下，我?guī)缀鯚o計可施，甚至想到了準備燒斷IO口上拉電阻（前兩天我曾發(fā)帖求救怎么燒斷IO口上拉電阻的方法）后來聽網(wǎng)友建議該方法風險較大，所以總想用軟件方法解決。 后來我的解決方法是：采樣信號前不是先向對應鎖存器寫1，而是先寫入0，再寫入1，延時約10毫秒以上，然后再采樣（當然此法只適應于采樣頻率很低的情況）。這樣作的目的是：先寫入0迫使IO口上拉電阻先為一較大值，此時如果外部光敏三極管本來處于截止狀態(tài)，當完成上述一系列鎖存器的寫入過程后光敏管仍為截止態(tài)，IO口正確采樣到高電平；此時如果外部光敏三極管基極電流足夠大有容許三極管飽和導通的條件（即基極吸收到充分光強），雖然采樣一開始集電極被人為鉗位在低電平，但當下一時隙和IO口相連的鎖存器被寫入1時，在IO口上拉電阻中的可變FET導通之前，光敏三極管已先進入飽和態(tài)而又把引腳鉗位在實際輸出的低電平，此時MCU IO口的上拉電阻仍為較大阻值，同時和原光敏三極管集電極負載電阻并聯(lián)（考慮并聯(lián)后阻值變化，原光敏三極管集電極負載電阻需增大到適當阻值）充當飽和導通后光敏三極管的負載電阻，事實上，IO口上拉電阻中的可變FET未來得及導通又被截止了，由此又保證了信號低電平的正確采樣。
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