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一個(gè)STM32 HSE應(yīng)用配置的相關(guān)話題

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ID:98618 發(fā)表于 2016-3-27 20:33 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
    不論STM8還是STM32系列的MCU,芯片復(fù)位后默認(rèn)時(shí)鐘源都是內(nèi)部HSI,要使用外部時(shí)鐘源HSE的話,得通過軟件對相關(guān)控制寄存器進(jìn)行使能配置才行。

    如果使用外部HSE的話,一般有兩種模式:


 

1、外部晶體/陶瓷諧振器(HSE晶體)模式

    這種模式用得比較常見,HSE晶體可以為系統(tǒng)提供較為精確的時(shí)鐘源。在時(shí)鐘控制寄存器RCC_CR中的HSERDY位用來指示高速外部振蕩器是否穩(wěn)定。在啟動時(shí),直到這一位被硬件置’1’,時(shí)鐘才被釋放出來。HSE晶體可以通過設(shè)置時(shí)鐘控制寄存器里RCC_CR中的HSEON位被啟動和關(guān)閉。

    該時(shí)鐘源是由外部無源晶體與MCU內(nèi)部時(shí)鐘驅(qū)動電路共同配合形成,有一定的啟動時(shí)間,精度較高。為了減少時(shí)鐘輸出的失真和縮短啟動穩(wěn)定時(shí)間,晶體/陶瓷諧振器和負(fù)載電容必須盡可能地靠近振蕩器引腳。負(fù)載電容值必須根據(jù)所選擇的晶體來具體調(diào)整。手冊里明確地寫明了這句,很多時(shí)候似乎被無視了。關(guān)于這點(diǎn),ST官方有專門出了個(gè)應(yīng)用筆記,編號為AN2867。可以去www.stmcu.com.cn 或者www.st.com 搜索下載。

    整體上講,陶瓷晶體和石英晶體的主要區(qū)別就在于精度和溫度穩(wěn)定性上。石英晶體比陶瓷晶體精度要高,溫度穩(wěn)定性要好。


2、外部時(shí)鐘源(HSE旁路)模式

    該模式下必須提供外部時(shí)鐘。用戶通過設(shè)置時(shí)鐘控制寄存器中的HSEBYP和HSEON位來選擇這一模式。外部時(shí)鐘信號(50%占空比的方波、正弦波或三角波)必須連到SOC_IN引腳,此時(shí)OSC_OUT引腳對外呈高阻態(tài)。

    所謂HSE旁路模式,是指無需上面提到的使用外部晶體時(shí)所需的芯片內(nèi)部時(shí)鐘驅(qū)動組件,直接從外界導(dǎo)入時(shí)鐘信號。猶如芯片內(nèi)部的驅(qū)動組件被旁路了。

    不過,在使用該模式時(shí),經(jīng)常有人出現(xiàn)配置錯誤,即使用跟HSE晶體模式一樣的配置。這點(diǎn)在STM8/STM32應(yīng)用中都有人發(fā)生。 所幸的是使用這個(gè)旁路模式的情形不像使用外部晶體模式那么多,不然可能更多人在這里遇到麻煩。

    我們不妨以STM3F4系列芯片為例。

    關(guān)于寄存器位上面已經(jīng)提到了,旁路模式除了配置HSEON還得配置HSEBYP位。

    對于標(biāo)準(zhǔn)庫函數(shù)voidRCC_HSEConfig(uint32_t RCC_HSE)

    或CUBE庫函數(shù)__HAL_RCC_HSE_CONFIG(RCC_OscInitStruct->HSEState)里的相關(guān)參數(shù)可能是:RCC_HSE_ONRCC_HSE_BypassRCC_HSE_OFF的其中之一。


    如果使用STM32CUBEMX圖形配置界面的話可以看到3個(gè)選項(xiàng):



    在ST MCU應(yīng)用開發(fā)中,常有人會用到有源晶振作為時(shí)鐘源。如果用它該選擇哪種工作模式呢?



    有源晶振一般是四腳封裝,電源、地線、振蕩輸出和一個(gè)控制端【或者懸空端】。相比無源晶體,有源晶振本身就是個(gè)完整的振蕩器件,只需要供給適當(dāng)?shù)碾娫淳湍茌敵鰰r(shí)鐘,無須額外的振蕩驅(qū)動匹配電路。其時(shí)鐘輸出不依賴于外部器件振蕩電路,相對更不容易受外部線路不穩(wěn)定性的影響。自然其價(jià)格往往要高于無源晶體,不過其輸出電平幅度往往不能像無源晶體那樣隨著應(yīng)用電路的變化而變化。

    不難看出,如果使用有源晶振作為外部時(shí)鐘源的話,我們應(yīng)該配置為HSE旁路模式,而不是HSE晶體模式。將有源晶振的輸出腳接到MCU的OSC_IN腳。


本文作者:Miler Shao

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