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之前使用F4的時候就發(fā)現(xiàn)片內(nèi)個CCMRAM區(qū)域可以用于內(nèi)核直接讀取，進(jìn)而縮短減小等待時間。拿到F3后發(fā)現(xiàn)里面也有個CCMRAM，功能比F4的還強(qiáng)大，所以就準(zhǔn)備測試下。
現(xiàn)在使用的F303RE內(nèi)部有個16K的CCM直接和數(shù)據(jù)總線和指令總線相連，也就是說CPU能以最大的系統(tǒng)時鐘和最小的等待時間從CCM中讀取數(shù)據(jù)或者代碼，這個CCM區(qū)域只能由CPU訪問，DMA不能從CCM中讀取數(shù)據(jù)。官方文檔說明了使用CCM的一些優(yōu)勢：比如將頻繁讀取的數(shù)據(jù)放到CCM，將中斷函數(shù)放到CCM，這都能加快程序的執(zhí)行速度。
使用CCM的設(shè)置比較簡單，首先編輯分散加載文件，將CCM區(qū)域加入到里面
下面手動編輯修改SCT文件，添加CCM部分到sct
下面將需要放到CCM內(nèi)存的變量，數(shù)組，函數(shù)等的前面添加下面的關(guān)鍵字即可
- CCMRAM void LED_Init(void)
- {
- GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStruct;
- RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_GPIOA, ENABLE);
- GPIO_InitStruct.GPIO_Pin = GPIO_Pin_5;
- GPIO_InitStruct.GPIO_Mode = GPIO_Mode_OUT;
- GPIO_InitStruct.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
- GPIO_InitStruct.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;
- GPIO_Init(GPIOA, &GPIO_InitStruct);
- }
重新編譯后，你就可以從MAP文件中看到相應(yīng)的數(shù)組和函數(shù)被放到0x1000000開始的CCM區(qū)域，或者debug也能看到相應(yīng)的地址，我們將數(shù)組和函數(shù)的地址發(fā)送到串口，可看到的確是在0x10000000之后。
剛才說了，F(xiàn)4系列也有個CCM的區(qū)域，測試完F3，我又測試下F4，比較悲劇的是只要把函數(shù)定義在CCM中程序就會Fault，只定義數(shù)組卻沒有問題，查看map文件，函數(shù)地址的確是被分配到了CCM，郁悶了幾分鐘，重新找到F429的RM，看下了總線矩陣圖才發(fā)現(xiàn)原因。。。
下面是F429的總線：
下面的是F303RE的總線：
- #include "eeprom.h"
- #include "delay.h"
- //2015-6-2 16:51:29
- //by @creep
- //設(shè)置EEPROM的大小為1K
- //可根據(jù)實(shí)際調(diào)整大小
- u16 STMFLASH_BUFF[STMFLASH_SIZE];
- //要寫數(shù)據(jù)的起始地址為0-STMFLASH_SIZE,類型為HalfWord類型
- //只能寫數(shù)據(jù)類型為HalfWord的數(shù)據(jù)到EEPROM 里面
- void STMFLASH_Write(u16 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
- {
- u16 j;
- STMFLASH_Read_Backup(); //讀出備份區(qū)域的數(shù)據(jù)
- FLASH_Unlock(); //解鎖
- FLASH_ErasePage(FLASH_PAGE255_ADDR); //擦除第255頁
- for(j=0;j<numtowrite;j++)
- {
- STMFLASH_BUFF[j+WriteAddr] = *(pBuffer+j); //將數(shù)據(jù)寫到數(shù)組中去
- }
- STMFLASH_Write_NoErase(); //將數(shù)據(jù)寫回到第255頁中
- FLASH_Lock(); //上鎖
- }
- //讀取數(shù)據(jù)為字節(jié)類型
- //將EEEPROM的1K字節(jié)讀出來
- void STMFLASH_Read_Backup(void)
- {
- u16 t;
- for(t=0;t<stmflash_size;t++)
- {
- *(STMFLASH_BUFF+t) = *(u16*)(FLASH_PAGE255_ADDR+t*2);
- }
- }
- //將EEPROM的1K的數(shù)組寫回到第255頁
- //寫數(shù)據(jù)前不擦除
- void STMFLASH_Write_NoErase(void)
- {
- u16 t;
- for(t=0;t<stmflash_size;t++)
- {
- FLASH_ProgramHalfWord(FLASH_PAGE255_ADDR+t*2,*(STMFLASH_BUFF+t));
- }
- }
- //從eeprom中讀數(shù)據(jù)
- void STMFLASH_Read(u16 ReadAddr,u16 *pstr,u16 NumberToRead)
- {
- u16 t;
- for(t=0;t<numbertoread;t++)
- {
- *(pstr+t) = *(u16*)(FLASH_PAGE255_ADDR+ReadAddr+t*2);
- }
- }
F303RE測試代碼：
F303RE_CCM.rar
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2016-6-17 18:37 上傳
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官方使用文檔：
AN4296_DM00083249_CN.pdf
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2016-6-17 18:37 上傳
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DM00083249.pdf
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2016-6-17 18:37 上傳
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