本帖最后由 zl2168 于 2016-10-10 22:06 編輯
實例50 非零地址讀寫AT24C02
由于E2PROM的半導體工藝特性，對E2PROM的寫入時間需要5～10ms，但AT24Cxx系列串行E2PROM芯片內部設置了一個具有SRAM性質的輸入緩沖器，稱為頁寫緩沖器。CPU對該芯片寫操作時，AT24Cxx系列芯片先將CPU輸入的數據暫存在頁寫緩沖器內，然后，慢慢寫入E2PROM中。因此，CPU對AT24Cxx系列E2PROM一次寫入的字節數，受到該芯片頁寫緩沖器容量的限制。頁寫緩沖器的容量為16B，若CPU寫入字節數超過芯片頁寫緩沖器容量，應在一頁寫完后，隔5～10ms重新啟動一次寫操作。
AT24Cxx頁寫緩沖的特性，需要補充說明的是，一次寫入AT24Cxx字節數不但不能超過芯片頁寫緩沖器容量，而且，若不是從頁寫緩沖器頁內零地址0000寫起，一次寫入地址不能超出頁內最大地址1111。例如，若從頁內地址0000寫起，一次最多可寫16字節；若從頁內地址0010寫起，一次最多只能寫16-2=14字節。若要寫16字節，超出頁內地址1111，將會引起地址翻卷，導致出錯。因此，本例16字節從AT24C025BH開始寫起，須分兩次寫入。第1次寫0x5b～0x5f單元，第2次寫0x60～0x62單元，中間還必須有頁寫延時。
先Proteus仿真一下，確認有效。
以上摘自張志良編著《單片機實驗實訓100例》 ISBN 978-7-5124-1603-1，北航社出版
書中電路和程序設計有詳細說明，程序語句條條有注解。
| 
