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領(lǐng)先的高性能模擬、微波、毫米波和光波半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商MACOM推出了其備受矚目、應(yīng)用于宏基站的MAGb系列氮化鎵（GaN）功率晶體管。借助于第四代氮化鎵的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，MACOM的MAGb系列是業(yè)界首批針對(duì)無線基站而優(yōu)化并商用的氮化鎵產(chǎn)品系列，在效率、帶寬和增益上都已達(dá)到世界領(lǐng)先水平，成本水平與LDMOS產(chǎn)品相當(dāng)。MACOM更有望在量產(chǎn)的情況下實(shí)現(xiàn)低于LDMOS產(chǎn)品的成本。
MAGb系列功率晶體管面向主流的1.8GHz到3.8GHz蜂窩應(yīng)用頻段。系列首批產(chǎn)品包括小型封裝的峰值功率可達(dá)400W的單端晶體管，雙功率管和峰值功率高達(dá)700W的對(duì)稱/非對(duì)稱Doherty架構(gòu)的功率管。與傳統(tǒng)的LDMOS工藝產(chǎn)品相比，MAGb系列產(chǎn)品在效率和封裝尺寸方面展現(xiàn)出極大的優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)了高達(dá)10%的效率提升和超過15%的封裝尺寸的縮小。借助于第四代的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，和其他氮化鎵工藝相比，MAGb系列在數(shù)字預(yù)失真(DPD)線性化和更正上表現(xiàn)優(yōu)異。
MAGb系列功率晶體管可以比LDMOS產(chǎn)品覆蓋更寬的帶寬，可以實(shí)現(xiàn)用更少的器件覆蓋更寬的帶寬。與此同時(shí)，新的系列產(chǎn)品采用比LDMOS產(chǎn)品更為精簡(jiǎn)的Doherty架構(gòu)實(shí)現(xiàn)超過200MHz的視頻帶寬。MAGB-101822-120B0S是此家族的第一款產(chǎn)品，它可以覆蓋從1.7GHz到2.2GHz共500MHz的帶寬，并提供超過19dB的帶內(nèi)線型增益。它采用小型的AC-400陶瓷封裝，可以提供160W的峰值功率，而且在不進(jìn)行諧波調(diào)試的情況下就可以達(dá)到74%的峰值效率。
該系列的第二款產(chǎn)品是MAGB-101822-240B0S，采用AC-780陶瓷封裝。在500MHz的帶寬內(nèi)擁有比MAGB-101822-120B0S高一倍的峰值功率，保持了19dB的線性增益，并且在不進(jìn)行諧波調(diào)試的情況下就可以實(shí)現(xiàn)高達(dá)72%的峰值效率。在調(diào)諧的情況下，這兩款產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)超過80%的峰值效率。
此系列產(chǎn)品繼承了MACOM第四氮化鎵功率晶體在效率、尺寸和帶寬方面的優(yōu)勢(shì)，更適應(yīng)于LTE的最新演進(jìn)版本。與此同時(shí)，結(jié)合在供應(yīng)鏈上的天然優(yōu)勢(shì)與MACOM數(shù)十年經(jīng)驗(yàn)的研發(fā)和應(yīng)用團(tuán)隊(duì)的支持，此系列產(chǎn)品可以提供一個(gè)最優(yōu)的價(jià)格、性能與可靠性方面的平衡。
MACOM第四代氮化鎵是基站功率放大器領(lǐng)域的改革先鋒，實(shí)現(xiàn)了性能與價(jià)格的突破，這是其他半導(dǎo)體工藝都是無法實(shí)現(xiàn)的。我們期望通過帶來MAGb產(chǎn)品，MACOM在無線應(yīng)用領(lǐng)域的經(jīng)驗(yàn)和工藝延展方面的經(jīng)驗(yàn)可以幫助氮化鎵功率放大器成為主流，充分發(fā)揮下一代無線基站的優(yōu)勢(shì)。
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