作者：Jonathan Dodge
眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅動功率，且開關速度優(yōu)異。可以說具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率MOSFET的特性，并為器件選擇提供指導。最后，解釋了Microsemi公司Advanced Power Technology (ATP) MOSFET的數(shù)據(jù)表。
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功率MOSFET結構
圖1為APT N型溝道功率MOSFET剖面圖(本文只討論N型溝道MOSFET)。在柵極和源極間加正壓，將從襯底抽取電子到柵極。如果柵源電壓等于或者高于閾值電壓，柵極下溝道區(qū)域將積累足夠多的電子從而產(chǎn)生N型反型層；在襯底形成導電溝道(MOSFET被增強)。電子在溝道內(nèi)沿任意方向流動。電子從源極流向漏極時，產(chǎn)生正向漏極電流。溝道關斷時，正向漏極電流被阻斷，襯底與漏極之間的反偏PN結維持漏源之間的電勢差。對于N型MOSFET，正向導通時，只有電子流，沒有少子。開關速度僅受限于MOSFET內(nèi)寄生電容的充電和放電速率。因此，開關速率可以很快，開關損耗很低。開關頻率很高時，這讓功率MOSFET具有很高的效率。
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