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分享一下關于GD32F205RCT6單片機外擴SRAM的想法!

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發布時間: 2018-9-18 15:53

正文摘要:

             GD32F205RCT6是基于Cortex M3內核32bit(位)通用型MUC產品,主頻為120MHz, 片內閃存(Flash) 最大為256KB, RAM最大為128KB, 供電電壓范圍為2.6V-3.6V,內核的供 ...

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ID:273087 發表于 2018-11-21 16:58
大部分設計人員會考慮外擴SRAM,SRAM在速度是要比nor flash跟SDRAM要快,也不存在讀寫限制的問題,確實是考慮外擴內存的首選,但如果采用并口外擴內存需要較多的MCU管腳,給MCU無形中帶來了更多功能性的限制,并且也并非大部分的MCU可以支持, 如果采用串行SRAM作為單片機外擴的資源,相對來說更好,串行SRAM只需要八個管腳,SOP-8的封裝可以讓PCBA減少一定的面板面積,

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