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發(fā)布時(shí)間: 2022-9-16 17:24
正文摘要:為了低功耗分壓電阻的電流用MOS關(guān)閉,測(cè)電壓時(shí)打開(kāi)MOS,但有個(gè)問(wèn)題關(guān)閉MOS,24V經(jīng)過(guò)100K電阻到IO口,雖然IO口設(shè)置高阻,但還是容易燒壞單片機(jī)。不想用PMOS和NMOS組合關(guān)斷正極。有什么更簡(jiǎn)單的解決辦法嗎 目前有三種 ... |
188610329 發(fā)表于 2022-9-19 14:49 你這個(gè)電路ioa的電壓肯定是6v以?xún)?nèi)的,iob關(guān)斷后,60v經(jīng)680k到ioa還是會(huì)有電流,iob關(guān)不關(guān)意義何在? |
io內(nèi)部已經(jīng)有鉗位二極管,并不能解決燒單片機(jī)的問(wèn)題,加穩(wěn)壓管或tvs可以解決燒單片機(jī)的問(wèn)題 電路本身是想在睡眠時(shí)直接關(guān)斷支路降低功耗 所以增加穩(wěn)壓管和tvs后,并不能低功耗,因?yàn)橹冯娏?(vin-zd)/r |
需要那么省電嗎?就算使用電池長(zhǎng)期通電,電流才多少? |
MOS管最容易燒的 我覺(jué)得dir8870這個(gè)不錯(cuò) |
李冬 發(fā)表于 2022-9-19 17:21 該方式,51核的多種單片機(jī)都用過(guò),都沒(méi)有出問(wèn)題。(當(dāng)然,前提是支持 開(kāi)漏,但凡有默認(rèn)上拉的單片機(jī)引腳都不可以) 上面提到的+60V用了3年半的 是用 STC15W408As的 部分電路。(不過(guò),此單片機(jī)默認(rèn)是準(zhǔn)雙向,需要保證單片機(jī)先通電,改變端口模式后,高電壓再通電,這個(gè)設(shè)計(jì)比較煩,所以后來(lái)的項(xiàng)目都是用的默認(rèn)高阻或者默認(rèn)開(kāi)漏的片子。) |
可以不用 MOSFET, 保持分壓器不變,或使用雙二極管進(jìn)行電壓鉗位。 |
188610329 發(fā)表于 2022-9-19 14:49 你用是什么單片機(jī) |
你把檢測(cè)電路和MOS換一個(gè)位置就不會(huì)燒IC了,24V經(jīng)MOS管再來(lái)IO口檢測(cè)。你上面檢測(cè)的時(shí)候R7電阻沒(méi)有接地,所有電壓24V直接供IC了。 |
不知道你那個(gè)MOS管,是用來(lái)干什么的…… 這個(gè)電路用了3年半,從來(lái)沒(méi)出過(guò)問(wèn)題,IOA測(cè)電壓, IOB 控制通斷。 60V 都OK 實(shí)在不知道你怎么做到 24V 就燒單片機(jī)的。 ![]() |
單片機(jī)推動(dòng)MOS管,不能直接用這種電路,要通過(guò)隔離電路或高阻單通道才不會(huì)損壞單片機(jī) |
李冬 發(fā)表于 2022-9-17 07:52 瞬間電壓無(wú)法保證 |
圓就是圈圈 發(fā)表于 2022-9-16 18:47 不是有100K電阻限流嗎 |
IO5要么接一個(gè)3V穩(wěn)壓管到地,要么IO5接一個(gè)二極管到單片機(jī)電源 |
或許可以試試在24V和單片機(jī)之間接一個(gè)20V的穩(wěn)壓管 |
24V直接沖IO口,怎么看也會(huì)燒壞的,開(kāi)漏輸出也不能這么整 |
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