樓主對(duì)COM管一竅不通，兩個(gè)電路都是錯(cuò)漏百出，第一個(gè)無法打開COM管，第二個(gè)無法關(guān)閉COM管，這兩個(gè)電路錯(cuò)誤太多，沒有修改的價(jià)值，重新做吧。

三極管要換成P管，R17不接地，接到12V處，其次MOS基極串接小電阻，還要加下拉電阻。你的光耦電路，原副邊不供地，mos也要基極串接小電阻，還要加下拉電阻

兩個(gè)電路都有問題， 都需要在GS之間加個(gè)電阻放電

R17A作為PNP管下偏置電阻(需要考慮阻值），以保證Q3導(dǎo)通。Q3添加一個(gè)集電極電阻，提供MOS管柵極工作電壓。不知此法是否可行。

第二個(gè)電路也存在同樣問題,除了驅(qū)動(dòng)電壓要滿足要求外,結(jié)電壓泄放必須的.

zhuls 發(fā)表于 2024-1-16 09:58
第一個(gè)電路中，Q4柵極電壓約等于PWM電壓-0.7V（Q3的Vbe），如果PWM高電平是3V3，那么G極電壓就只有2.6左右 ...

大意了！如果換用PNP管，將出現(xiàn)新的問題 ：B極的電壓一直低于E極的+12V，Q3會(huì)一直導(dǎo)通，電路失效。。。

第一個(gè)電路圖設(shè)計(jì)上就是錯(cuò)的,要知道場(chǎng)效應(yīng)管具有結(jié)電容,必須設(shè)計(jì)泄放回路,否則驅(qū)動(dòng)的電壓無法消失.

第一個(gè)電路中，Q4柵極電壓約等于PWM電壓-0.7V（Q3的Vbe），如果PWM高電平是3V3，那么G極電壓就只有2.6左右了，很難讓高Vgs的NMOS管導(dǎo)通。Q3這樣的接法，只可以放大電流，但MOS管卻是電壓驅(qū)動(dòng)型器件,所以放大電流沒必要，也行不通的。
要么如樓上所說改成PNP管，要么嘗試選用低Vgs的NMOS管，比如ST2302,Vgs可低到2.5V。
個(gè)人淺見。。

975336981 發(fā)表于 2024-1-16 08:40
將Q3更換為PNP型晶體三極管，R17作為Q3下偏置電阻以保證其導(dǎo)通。

你這個(gè)Q3是不是畫反了，R17A是不是要改成上拉？

將Q3更換為PNP型晶體三極管，R17作為Q3下偏置電阻以保證其導(dǎo)通。

第一個(gè)電路的三極管導(dǎo)通后的內(nèi)阻較大，不能提供足夠的電壓給MOS管的G極。可能這個(gè)MOS管的啟動(dòng)電壓較高，如果啟動(dòng)電壓4V,l加上三極管的0.7V,已經(jīng)4.7V了。所以不能啟動(dòng)MOS管。

第一個(gè)圖MOS G級(jí)只有PWM電平-0.7的電壓，如果是5V及以下，mos壓根不能完全導(dǎo)通，建議改成上拉+NPN控制，如果對(duì)速度有要求，可以增加一個(gè)低端MOS驅(qū)動(dòng)

樓上說的對(duì)，要改為PNP的，驅(qū)動(dòng)要反向

Q3應(yīng)該是PNP的.

大IGBT 發(fā)表于 2024-1-15 21:40
三極管E極對(duì)地不通不能滿足導(dǎo)通條件。改為PNP型E接12v,C接?xùn)艠O，R17改接上啦，PMW改反向驅(qū)動(dòng)。

三極管E極對(duì)地不通不能滿足導(dǎo)通條件。改為PNP型E接12v,C接?xùn)艠O，R17改接上啦，PMW改反向驅(qū)動(dòng)。