A0D3400 mos管燒壞,是電流過(guò)大?

MOS管用的是A0D3400 ,電路以及規(guī)格參數(shù)如下，負(fù)載最高電流2.6A，使用一個(gè)星期后出現(xiàn)2臺(tái)mos燒壞，懷疑是電流過(guò)大（優(yōu)信上買(mǎi)的是圖標(biāo)這款），但規(guī)格書(shū)能過(guò)4a,現(xiàn)在準(zhǔn)備換成252封裝的mos,但想找出原因，有沒(méi)有人遇到過(guò)這問(wèn)題

就是燒壞的,熱壞的
因?yàn)槟阌玫氖荘WM,MOS管的G極是有結(jié)電容的,對(duì)于PWM信號(hào)來(lái)說(shuō),就相當(dāng)于一個(gè)電阻,這個(gè)電阻會(huì)把G極電壓拉低,讓MOS管不能完全導(dǎo)通,MOS管的電阻就加大了,發(fā)熱量也就大了
你可以在加熱的時(shí)候用紅外槍測(cè)量一下MOS的溫度
看一下你PWM信號(hào)的能力,把R19改到最小,或者把驅(qū)動(dòng)電壓改到10V
AO3400我經(jīng)常用,持續(xù)5A電流隨便工作,不會(huì)是電流的問(wèn)題,是你驅(qū)動(dòng)的問(wèn)題

Y_G_G 發(fā)表于 2022-7-26 16:12
就是燒壞的,熱壞的
因?yàn)槟阌玫氖荘WM,MOS管的G極是有結(jié)電容的,對(duì)于PWM信號(hào)來(lái)說(shuō),就相當(dāng)于一個(gè)電阻,這個(gè)電阻 ...

嗯，應(yīng)該是熱壞的，附近電源DC部分加了個(gè)ss34做防反接處理，發(fā)熱嚴(yán)重涂得熱熔膠都融了，去掉后mos沒(méi)這么燙
另外，PWM程序上僅做開(kāi)關(guān)處理，90%和0輸出，I0輸出電壓3.3/0，電阻R19改板的話直接去掉得了

或許沒(méi)加續(xù)流二極管保護(hù)？斷電的時(shí)候燒掉了？
下拉按照貼吧大佬各位說(shuō)的換成100K試試？其他確實(shí)看不出問(wèn)題

某一個(gè)寶上很多器件都標(biāo)“國(guó)產(chǎn)小芯片”、“國(guó)產(chǎn)大芯片”、“進(jìn)口原裝”而且價(jià)格不一樣，不排除有忽悠的成份，但萬(wàn)一是有些道理呢 ？

一夜暴富 發(fā)表于 2022-7-26 11:24
或許沒(méi)加續(xù)流二極管保護(hù)？斷電的時(shí)候燒掉了？
下拉按照貼吧大佬各位說(shuō)的換成100K試試？其他確實(shí)看不出問(wèn)題

正常工作時(shí)燒掉，負(fù)載是電阻絲發(fā)熱線，應(yīng)該不是反向電動(dòng)勢(shì)導(dǎo)致燒壞

Tobby 發(fā)表于 2022-7-26 13:42
正常工作時(shí)燒掉，負(fù)載是電阻絲發(fā)熱線，應(yīng)該不是反向電動(dòng)勢(shì)導(dǎo)致燒壞

靠PWM驅(qū)動(dòng)內(nèi)阻太大了？我也不是很了解
艾特大佬來(lái)看看吧

選MOS管的電流參數(shù)通常要比實(shí)際工作電流大10倍使用才安全可靠

Tobby 發(fā)表于 2022-7-26 13:42
正常工作時(shí)燒掉，負(fù)載是電阻絲發(fā)熱線，應(yīng)該不是反向電動(dòng)勢(shì)導(dǎo)致燒壞

電阻絲冷阻值比熱阻值小很多，可能是這個(gè)問(wèn)題

就是燒壞的,熱壞的低,
1）MOS管工作在不能完全導(dǎo)通,MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻變大,發(fā)熱量也就大。
2）PWM驅(qū)動(dòng)MOS管的能力不足，R19去掉；
3）輸出的負(fù)載接de是什么。

電路圖沒(méi)有什么問(wèn)題，如果單片機(jī)電源電壓是5V，可以用252封裝的AOD442或SUD50N06，IO口設(shè)置推挽模式，R19改10歐或不用。主要問(wèn)題是PWM驅(qū)動(dòng)能力不足，MOS管功耗大造成燒管。

ly1972001 發(fā)表于 2022-7-26 15:08

他數(shù)據(jù)手冊(cè)上寫(xiě)也是5.8a，尷尬，不應(yīng)該看他這手冊(cè)的

shengzhen2007 發(fā)表于 2022-7-26 16:50
就是燒壞的,熱壞的低,
1）MOS管工作在不能完全導(dǎo)通,MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻變大,發(fā)熱量也就大。
2）PWM驅(qū)動(dòng)MOS ...

嗯嗯，改板把限流電阻去掉，負(fù)載接的是硅膠發(fā)熱線，也就是電阻絲

man1234567 發(fā)表于 2022-7-26 12:04
某一個(gè)寶上很多器件都標(biāo)“國(guó)產(chǎn)小芯片”、“國(guó)產(chǎn)大芯片”、“進(jìn)口原裝”而且價(jià)格不一樣，不排除有忽悠的成份 ...

現(xiàn)在信了，還是直接找供應(yīng)商保障

wulin 發(fā)表于 2022-7-26 17:19
電路圖沒(méi)有什么問(wèn)題，如果單片機(jī)電源電壓是5V，可以用252封裝的AOD442或SUD50N06，IO口設(shè)置推挽模式，R19改 ...

嗯嗯，IO輸出3.3vde

Tobby 發(fā)表于 2022-7-26 17:22
他數(shù)據(jù)手冊(cè)上寫(xiě)也是5.8a，尷尬，不應(yīng)該看他這手冊(cè)的

這個(gè)數(shù)據(jù)手冊(cè)是沒(méi)有問(wèn)題的呀,人家就一開(kāi)店的,你以為個(gè)個(gè)都是科班出身的呀,我?guī)啄昵熬鸵恢痹谶@家店買(mǎi)元件,因?yàn)槎荚谏钲?有時(shí)候幾個(gè)小時(shí)就到了
幾年前這家店的STC單片機(jī)都是"全新原裝進(jìn)口"的,可能是進(jìn)口這個(gè)宣傳口號(hào)好用吧,19年開(kāi)始芯片缺貨之后就沒(méi)有這個(gè)"全新原裝進(jìn)口"了,可能是營(yíng)銷,也可能是經(jīng)營(yíng)中有那么幾個(gè)科班的吧
這個(gè)型號(hào)的MOS管3.5A持續(xù)電流是不會(huì)有問(wèn)題的,我一直買(mǎi)的就是這個(gè)店的這個(gè)型號(hào)
2.5A只是一個(gè)相對(duì)安全的工作電流而已
你是PWM控制就是另外一回事了

Tobby 發(fā)表于 2022-7-26 17:17
嗯，應(yīng)該是熱壞的，附近電源DC部分加了個(gè)ss34做防反接處理，發(fā)熱嚴(yán)重涂得熱熔膠都融了，去掉后mos沒(méi)這么 ...

要么是提高驅(qū)動(dòng)電壓,不過(guò),一般的PWM信號(hào)都是單片機(jī)的
要么是把串聯(lián)的驅(qū)動(dòng)電阻減小,個(gè)人感覺(jué)是把電阻減小,位置可以留著

Y_G_G 發(fā)表于 2022-7-26 17:44
要么是提高驅(qū)動(dòng)電壓,不過(guò),一般的PWM信號(hào)都是單片機(jī)的
要么是把串聯(lián)的驅(qū)動(dòng)電阻減小,個(gè)人感覺(jué)是把電阻減小 ...

把電阻改為15R，mos管還是有點(diǎn)燙，買(mǎi)了 UMW 的 3400，回來(lái)全部更換，不排除樓上說(shuō)的國(guó)產(chǎn)的電流不夠問(wèn)題
，有沒(méi)有其他sot23的mos推薦

Tobby 發(fā)表于 2022-7-26 20:52
把電阻改為15R，mos管還是有點(diǎn)燙，買(mǎi)了 UMW 的 3400，回來(lái)全部更換，不排除樓上說(shuō)的國(guó)產(chǎn)的電流不夠問(wèn)題
...

SOT23封裝MOS管電流大多都是在5A左右的,你就是換了也是好不好多少的
AO3400算是內(nèi)阻比較小的了
不行的話,就得用高電壓驅(qū)動(dòng)了
你不是有12V電源嘛,搞個(gè)10V驅(qū)動(dòng)試一下就知道了

找到問(wèn)題所在，驅(qū)動(dòng)電壓3.3v,Id輸出2A,負(fù)載2.6A，所以mos還是會(huì)發(fā)燙

將驅(qū)動(dòng)電壓轉(zhuǎn)換成5v驅(qū)動(dòng)，減去三級(jí)管壓降也就是4.3v,這樣就可以讓mos輸出4A電流了

Tobby 發(fā)表于 2022-7-27 01:25
將驅(qū)動(dòng)電壓轉(zhuǎn)換成5v驅(qū)動(dòng)，減去三級(jí)管壓降也就是4.3v,這樣就可以讓mos輸出4A電流了

樓主對(duì)21樓建議的理解有失偏頗。高頻PWM驅(qū)動(dòng)MOS管，MOS管功耗主要發(fā)生在ton和toff兩個(gè)時(shí)段，提高M(jìn)OS管開(kāi)關(guān)速度是降低功耗的主要手段。3.3V改為4.3V驅(qū)動(dòng)也不會(huì)有明顯改觀。飽和導(dǎo)通電阻相差幾毫歐不會(huì)起什么明顯降耗作用。

Tobby 發(fā)表于 2022-7-27 01:25
將驅(qū)動(dòng)電壓轉(zhuǎn)換成5v驅(qū)動(dòng)，減去三級(jí)管壓降也就是4.3v,這樣就可以讓mos輸出4A電流了

24#已經(jīng)給你解釋了,我就不復(fù)制了
并不是說(shuō)3.3V不能完全導(dǎo)通就不能用大電流,
你試著給一個(gè)3.3V的高平一直供電,你看一下MOS管溫度高不高
再對(duì)比一下用3.3V,90%占空比供電,你再看一下MOS此時(shí)的溫度,十有八九是比高電平供電的溫度高的
這個(gè)店的這個(gè)型號(hào)MOS,我買(mǎi)了幾百個(gè),一直在用,但都是開(kāi)和關(guān)而已,5A以下電流從不考慮溫度的,以前是8051驅(qū)動(dòng),現(xiàn)在是STM32驅(qū)動(dòng),一直都沒(méi)有問(wèn)題的

wulin 發(fā)表于 2022-7-27 07:10
樓主對(duì)21樓建議的理解有失偏頗。高頻PWM驅(qū)動(dòng)MOS管，MOS管功耗主要發(fā)生在ton和toff兩個(gè)時(shí)段，提高M(jìn)OS管開(kāi) ...

嗯，學(xué)到了，謝謝

Y_G_G 發(fā)表于 2022-7-27 08:05
24#已經(jīng)給你解釋了,我就不復(fù)制了
并不是說(shuō)3.3V不能完全導(dǎo)通就不能用大電流,
你試著給一個(gè)3.3V的高平一 ...

好的，現(xiàn)在直接做開(kāi)關(guān)處理了

量一下MOS管G極在PWM模式下的波形，看看還是不是標(biāo)準(zhǔn)方波
如果波形明顯失真，就是驅(qū)動(dòng)能力不足，引起MOS發(fā)燙
除了R19改成10歐外，還可以加圖騰柱電路增加驅(qū)動(dòng)能力

1。發(fā)熱來(lái)自兩點(diǎn)導(dǎo)通發(fā)熱和開(kāi)關(guān)發(fā)熱，導(dǎo)通發(fā)熱的話，按照你的規(guī)格書(shū)計(jì)算與環(huán)境溫差會(huì)有19℃左右；開(kāi)關(guān)發(fā)熱你得自己找公式算算。
2.這個(gè)芯片參差不齊，得看實(shí)際用的哪款芯片，或者給個(gè)10V電壓，根據(jù)發(fā)熱大概推一下內(nèi)阻。

Y_G_G說(shuō)的方法不錯(cuò)，改變占空比，測(cè)芯片溫度。

常開(kāi)常關(guān)的話，這個(gè)芯片溫度不會(huì)很高的。

如果猜的不錯(cuò)的話。負(fù)載是感性的。
建議在1+、1-之間加一個(gè)續(xù)流二極管。

換成雙MOS管

更換A0D3400A目前一切正常，下面是備用方案，比較保障點(diǎn)，感謝樓上各位的幫忙

Tobby 發(fā)表于 2022-8-2 13:38
更換A0D3400A目前一切正常，下面是備用方案，比較保障點(diǎn)，感謝樓上各位的幫忙

備用方案測(cè)試，取消R22后mos基本上不發(fā)熱，算是解決了發(fā)熱問(wèn)題

MOSFET的額定電流不夠大。 電阻加熱器從低溫啟動(dòng)時(shí)具有浪涌作用。 因此，MOSFET 的額定電流應(yīng)該比預(yù)期的大得多。

雙IO控制，防止HEAT_PWM 失效（之前項(xiàng)目出現(xiàn)過(guò)IO失效），不知道還有沒(méi)有更好的方案，可以推薦下

TTQ001 發(fā)表于 2022-8-7 09:04
MOSFET的額定電流不夠大。 電阻加熱器從低溫啟動(dòng)時(shí)具有浪涌作用。 因此，MOSFET 的額定電流應(yīng)該比預(yù)期的大 ...

嗯嗯，是的，只是成本上會(huì)高點(diǎn)

一般是過(guò)流或過(guò)壓燒壞。示波器看看GS電壓是否變化緩慢，如是，則MOSFET飽和、截止不夠迅速，損耗大，發(fā)熱嚴(yán)重，熱壞了。如果負(fù)載有感性，則會(huì)有反電動(dòng)勢(shì)，所以負(fù)載要并聯(lián)一個(gè)快速二極管抑制反電動(dòng)勢(shì)。

這個(gè)問(wèn)題我剛好遇到過(guò)，用PWM控制的話，那個(gè)頻率很重要。一般的MOS管只能低頻驅(qū)動(dòng)，用高頻驅(qū)動(dòng)就會(huì)燒MOS管。

xiaohaibo81 發(fā)表于 2022-8-16 10:35
這個(gè)問(wèn)題我剛好遇到過(guò)，用PWM控制的話，那個(gè)頻率很重要。一般的MOS管只能低頻驅(qū)動(dòng)，用高頻驅(qū)動(dòng)就會(huì)燒MOS管 ...

那得看你的驅(qū)動(dòng)能力。比如用于驅(qū)動(dòng)小四軸的空心杯電機(jī)，用超過(guò)20KHz的PWM沒(méi)有任何問(wèn)題。
但是IO直接驅(qū)動(dòng)TO252或更大的MOSFET，由于電流不夠，PWM頻率高時(shí)，GS電壓變化緩慢，MOSFET損耗很大，會(huì)燒的。

簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)就是開(kāi)和關(guān)的那一瞬間