STM32F103系列增強型微控制器
——時鐘控制(RCC)
三種不同的時鐘源可用作系統時鐘（SYSCLOCK）：
HIS振蕩器時鐘（由芯片內部RC振蕩器提供）
HSE振蕩器時鐘（由芯片外部晶體振蕩器提供）
PLL時鐘（通過倍頻HIS或HSE振蕩器倍頻得到）
另外還有兩個時鐘源：
LSI內部40kHz低速RC振蕩器時鐘，用于驅動獨立看門狗或選擇驅動RTC
LSE外部32.768kHz低速外部輸入時鐘，用于驅動RTC
時鐘模塊框圖如下：
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圖1 時鐘樹框圖
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1．當HSI被用于作為PLL時鐘的輸入時，系統時鐘能得到的最大頻率是64MHz。
2．用戶可通過多個預分頻器配置AHB、高速APB(APB2)和低速APB(APB1)域的頻率。AHB和APB2域的最大頻率是72MHz。APB1域的最大允許頻率是36MHz。SDIO接口的時鐘頻率固定為HCLK/2。
3. RCC通過AHB時鐘(HCLK)8分頻后作為Cortex系統定時器(SysTick)的外部時鐘。通過對SysTick控制與狀態寄存器的設置，可選擇上述時鐘或Cortex(HCLK)時鐘作為SysTick時鐘。ADC時鐘由高速APB2時鐘經2、4、6或8分頻后獲得。 定時器時鐘頻率分配由硬件按以下2種情況自動設置：
a. 如果相應的APB預分頻系數是1，定時器的時鐘頻率與所在APB總線頻率一致。
b. 否則，定時器的時鐘頻率被設為與其相連的APB總線頻率的2倍。
4. FCLK是Cortex??-M3的自由運行時鐘。詳情見ARM的Cortex??-M3技術參考手冊。
關于HSE、HIS、PLL、LSE、LSI時鐘特性及校準直接參考STM32相關Datasheet。
系統時鐘配置過程：
配置過程主要對RCC_CR、RCC_CFGR、RCC_CIR這三個寄存器，進行讀寫訪問，配置系統時鐘完成后進行對要使用的相應外設時鐘進行使能和配置，不用的外設建議關閉相應的外設時鐘（降低功耗）。
比較經典的系統時鐘選擇配置為：使用外部8MHz的HSE時鐘源作為PLL時鐘輸入，PLL再進行9倍頻得到72MHZ的時鐘作為系統時鐘輸出，具體實現過程如下：
1、置RCC_CR的HSION[0]位，啟動HIS時鐘。
2、清RCC_CFGR的MCO[26:24],ADCPRE[15:14],PPRE2[13:11],PPRE1[10:8],HPRE[7:4],SWS[3:2],SW[1:0]位，選擇默認的HIS時鐘且設置相應的時鐘不分頻。
3、清RCC_CR的PLLON[24],CSSON[19],HSEON[16]位，關閉PLL和HSE時鐘，且關閉時鐘檢測。
4、清RCC_CR的HSEBYP[18]位，說明HSE時鐘為外部的陶瓷晶體振蕩器，并非旁路模式。
5、清RCC_CFGR的USBPRE[22],PLLMUL[21:18],PLLXTPRE[17],PLLSRC[16]位，使HSE不分頻作為PLL的時鐘輸入，PLL的1.5倍頻作為USB的時鐘。
6、清RCC_CIR所有位，關閉全部的時鐘中斷。
7、置RCC_CR的HSEON[16]位，開啟HSE振蕩器。
8、檢測RCC_CR的HSERDY[17]位來檢測HSE振蕩器是否準備就緒，若該位為1則接著往下配置，否則一直等待檢測直到該位被硬件置1或等待檢測時間結束。
9、清RCC_CFGR的HPRE[7:4]位，設置AHB預分頻值使SYSCLCK不分頻。
10、清RCC_CFGR的HPRE2[13:11]位，設置APB2時鐘（PCLK2）不分頻。
11、置RCC_CFGR的HPRE1[10:8]位為110，設置APB1時鐘（PCLK1）二分頻。
12、置RCC_CFGR的PLLMUL[21:18]位為0111，設置PLL9倍頻輸出，得到SYSCLK為72MHz。
13、置RCC_CR的PLLON[24]位，使能PLL時鐘。
14、檢測RCC_CR的PLLRDY[25]位，若為1表示PLL時鐘鎖定成功，為0表示鎖定未完成，繼續檢測等待直到該位被硬件置1.
15、置RCC_CFGR的SW[]1:0]位為10，選擇PLL輸出作為系統時鐘。
16、檢測RCC_CFGR的SWS[3:2]位，若為10表示PLL作為系統時鐘使用成功，否則一直等待直到該位為10,。
17、至此系統時鐘配置全部完成。
總結系統時鐘配置大體過程：
1、上電初始，開啟HSI振蕩器，關閉PLL及HSE，清RCC_CR及RCC_CFGR形影位為缺省值
2、開啟HSE振蕩器，等待HSE振蕩器啟動并進入穩定。
3、選擇HSE作為PLL時鐘輸入，配置好各個預分頻器相應的預分頻系數。
4、啟動PLL時鐘，等待PLL時鐘準備就緒。5、選擇PLL時鐘輸出作為系統時鐘輸入。